公开(公告)号：CN102238461A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110094292.6

申请日：2011-04-15

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 笠井隆 ,  鹤龟宜崇 ,  文承启 ,  寺阪新一

IPC: H04R19/02 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明提供一种声音传感器，不使梁部的强度及隔膜的支承强度降低，而能够加长梁部的未由锚件固定的部分的长度。在硅基板(32)的上面，在由多晶硅构成的第一牺牲层(48)的延伸部(48a)上经由由氧化硅膜构成的第二牺牲层(47)形成有由多晶硅构成的隔膜(33)的梁部(36a)。延伸部(48a)形成在梁部(36a)的除前端部之外的区域下。从设于硅基板(32)的背室(35)蚀刻除去延伸部(48a)，在梁部(36a)的下面的除前端部之外的区域形成空洞部(50)后，进一步蚀刻除去第二牺牲层(47)。此时，在梁部(36a)的前端部下面残留第二牺牲层(47)作为锚件(37)。

公开(公告)号：CN102238461B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201110094292.6

申请日：2011-04-15

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 笠井隆 ,  鹤龟宜崇 ,  文承启 ,  寺阪新一

IPC: H04R19/02 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明提供一种声音传感器，不使梁部的强度及隔膜的支承强度降低，而能够加长梁部的未由锚件固定的部分的长度。在硅基板(32)的上面，在由多晶硅构成的第一牺牲层(48)的延伸部(48a)上经由由氧化硅膜构成的第二牺牲层(47)形成有由多晶硅构成的隔膜(33)的梁部(36a)。延伸部(48a)形成在梁部(36a)的除前端部之外的区域下。从设于硅基板(32)的背室(35)蚀刻除去延伸部(48a)，在梁部(36a)的下面的除前端部之外的区域形成空洞部(50)后，进一步蚀刻除去第二牺牲层(47)。此时，在梁部(36a)的前端部下面残留第二牺牲层(47)作为锚件(37)。