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公开(公告)号：CN115458950A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211074780.5
申请日：2022-09-02
Applicant: 毕勇翔
Abstract: 一种具有双频吸收功能和PIT调制功能的元器件，包括二氧化硅介电层、分别设置在二氧化硅介电层两侧的石墨烯阵列和金属层，石墨烯阵列由若干石墨烯开口环组成，金属层为有损金属，石墨烯开口环的开口角度为270°，石墨烯开口环分为开口环一和开口环二，开口环一的半径为2.6微米，开口环二的半径为2微米，二氧化硅介电层的厚度为4.8微米，其介电常数为3.9。本发明提供的具有双频吸收功能和PIT调制功能的元器件，解决了现有元器件功能单一的问题，实现了太赫兹双窄带吸收以及透明窗口吸收的功能。
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