公开(公告)号：CN100435265C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200510024398.3

申请日：2005-03-16

Applicant: 毕明光

Inventor： 毕明光 ,  徐桂凤 ,  毕颖

IPC: H01J31/12 ,  H01J63/00

Abstract: 本发明公开了一种利用核径迹蚀刻技术制造场发射真空微电子器件及显示器的工艺和结构。利用本发明的方法，不仅材料易得，工艺简单，参数容易控制，集成度高，更适宜于大规模连续生产，成本较低。在结构上不仅可以制成大平面的平板形器件及显示器，而且可以制成大面积薄膜形器件及显示器。本发明的主要技术方案是：利用一定能量的粒子束辐照并贯穿基体，这个基体是电介质材料或者是由电介质和导电材料相间复合而成的薄膜或平板。当粒子通过电介质时，在其径迹附近形成局部改性，因此可蚀刻成各种所需形状的锥孔，经沉积填充、再蚀刻等工艺，制成具有电子发射、传输的组合器件。

公开(公告)号：CN101034668A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200610024516.5

申请日：2006-03-09

Applicant: 毕明光 ,  殷伟军

Inventor： 毕明光 ,  殷伟军 ,  殷小淞 ,  毕颖

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/311 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种化合物半导体材料及其制造工艺，特别涉及一种具有大面积、微结构的化合物半导体复合薄膜。包括具有纳米尺寸的二维半导体材料、一维半导体材料、零维半导体材料及具有阵列点阵的半导体材料。一种半导体复合薄膜的制造工艺，它是利用核径迹蚀刻技术在电介质薄膜上蚀刻出微孔，再在微孔中沉积填充化合物半导体材料。填充方法具有模板法限位生长的特性，又有溶胶凝胶法化合物半导体组成、成分易于控制的特性，并利用电化学生长进行控制的特性。

公开(公告)号：CN1835179A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200510024398.3

申请日：2005-03-16

Applicant: 毕明光

Inventor： 毕明光 ,  徐桂凤 ,  毕颖

IPC: H01J31/12 ,  H01J63/00

Abstract: 本发明公开了一种利用核径迹蚀刻技术制造场发射真空微电子器件及显示器的工艺和结构。利用本发明的方法，不仅材料易得，工艺简单，参数容易控制，集成度高，更适宜于大规模连续生产，成本较低。在结构上不仅可以制成大平面的平板形器件及显示器，而且可以制成大面积薄膜形器件及显示器。本发明的主要技术方案是：利用一定能量的粒子束辐照并贯穿基体，这个基体是电介质材料或者是由电介质和导电材料相间复合而成的薄膜或平板。当粒子通过电介质时，在其径迹附近形成局部改性，因此可蚀刻成各种所需形状的锥孔，经沉积填充、再蚀刻等工艺，制成具有电子发射、传输的组合器件。