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公开(公告)号:CN110395768A
公开(公告)日:2019-11-01
申请号:CN201811256131.0
申请日:2018-10-26
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于微电子新材料技术领域,具体涉及一种柔性自极化铁酸铋基薄膜的制备方法。该方法以耐高温的柔性云母作为衬底材料,金属薄膜或氧化物薄膜作为底电极材料,对底电极进行预处理后生长铁酸铋基薄膜。本发明首次在柔性衬底上直接高温生长具有自极化效应的铁酸铋基薄膜,其化学组成为Bi(Fe1-x-yMnxTiy)O3,其中0<x≤0.05,0<y≤0.05。本发明工艺简单有效,所制备的铁酸铋基薄膜耐弯折、电极化特性优越、电荷保持力强、抗疲劳性能好,且无需人工极化就表现出良好的压电性能,在柔性铁电存储、柔性压电传感等技术领域中具有很大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN109494076B
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201811256156.0
申请日:2018-10-26
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域,具体涉及一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法。本发明的薄膜电容器,由柔性云母基片、Pt薄膜底电极、铁电薄膜层和金属Pt或Au顶电极组成。本发明的薄膜电容器,以钛酸铋钠基铁电薄膜作为功能层,其化学通式为0.97(0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaTiO3)‑0.03BiFeO3‑xCeO2‑yMnO2,其中0≤x≤1%,0≤y≤2%,且y>x。本发明工艺简单、成本低廉,所制备的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器耐弯折、储能密度大、储能效率高、热稳定性好、损耗低,可满足柔性储能元器件的要求。
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公开(公告)号:CN109494076A
公开(公告)日:2019-03-19
申请号:CN201811256156.0
申请日:2018-10-26
Applicant: 济南大学
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/005 , H01G4/1218
Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域,具体涉及一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法。本发明的薄膜电容器,由柔性云母基片、Pt薄膜底电极、铁电薄膜层和金属Pt或Au顶电极组成。本发明的薄膜电容器,以钛酸铋钠基铁电薄膜作为功能层,其化学通式为0.97(0.94Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaTiO3)-0.03BiFeO3-xCeO2-yMnO2,其中0≤x≤1%,0≤y≤2%,且y>x。本发明工艺简单、成本低廉,所制备的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器耐弯折、储能密度大、储能效率高、热稳定性好、损耗低,可满足柔性储能元器件的要求。
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