公开(公告)号：CN101367671B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200810140200.1

申请日：2008-09-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  闫静 ,  武卫兵 ,  杨长红 ,  程玲 ,  殷在梅 ,  王金翠

IPC: C04B41/52

Abstract: 本发明属于铁电复合薄膜材料技术领域，具体涉及一种用于高温压电器件的无铅双层铁电复合薄膜材料及其制备方法。本发明采用化学溶液法结合层层快速退火工艺，制备在衬底材料上生长作为底层的高(110)-或(111)-取向的BiFeO3薄膜和作为表层的高居里点铋系层状钙钛矿薄膜，其中高(110)-或(111)-取向的BiFeO3薄膜，厚度为0.1μm～1μm，高居里点铋系层状钙钛矿薄膜，厚度为10nm～60nm。本发明在500℃～600℃的退火温度下得到了具有大剩余极化、低漏电流、抗疲劳性能好和高压电常数的无铅双层铁电复合薄膜，在未来的高温压电器件中具有良好的实用前景。

公开(公告)号：CN100559595C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200810158354.3

申请日：2008-10-31

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  闫静 ,  陈雪梅 ,  杨长红 ,  武卫兵 ,  殷在梅 ,  程玲 ,  王金翠

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明涉及一种用于铁电存储器的BiFeO3-基三明治结构薄膜及其制备方法，属于微电子新材料技术领域。所述的BiFeO3-基三明治结构薄膜的上、下表层组分均为BiFe1-xHxO3，H为掺杂的四价及四价以上的高价离子，中间层组分为BiFe1-xLxO3，L为掺杂的三价及三价以下的离子；其制备方法为采用化学溶液法结合层层退火工艺，用旋转涂膜法将前驱体溶液沉积在不同材料的表层制得。本发明通过采用特殊的三明治结构，极大的降低了薄膜的漏电流，同时有效的降低矫顽场，明显的提高电荷保持力，在500℃～600℃的退火温度下得到了具有低漏电流、大剩余极化、低矫顽场，很好的电荷保持力的铁电薄膜，在未来的铁电存储器中具有良好的实用前景。

公开(公告)号：CN101388395A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810158354.3

申请日：2008-10-31

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  闫静 ,  陈雪梅 ,  杨长红 ,  武卫兵 ,  殷在梅 ,  程玲 ,  王金翠

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明涉及一种用于铁电存储器的BiFeO3－基三明治结构薄膜及其制备方法，属于微电子新材料技术领域。所述的BiFeO3－基三明治结构薄膜的上、下表层组分均为BiFe1－xHxO3，H为掺杂的四价及四价以上的高价离子，中间层组分为BiFe1－xLxO3，L为掺杂的三价及三价以下的离子；其制备方法为采用化学溶液法结合层层退火工艺，用旋转涂膜法将前驱体溶液沉积在不同材料的表层制得。本发明通过采用特殊的三明治结构，极大的降低了薄膜的漏电流，同时有效的降低矫顽场，明显的提高电荷保持力，在500℃～600℃的退火温度下得到了具有低漏电流、大剩余极化、低矫顽场，很好的电荷保持力的铁电薄膜，在未来的铁电存储器中具有良好的实用前景。

公开(公告)号：CN101367671A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810140200.1

申请日：2008-09-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  闫静 ,  武卫兵 ,  杨长红 ,  程玲 ,  殷在梅 ,  王金翠

IPC: C04B41/52

Abstract: 本发明属于铁电复合薄膜材料技术领域，具体涉及一种用于高温压电器件的无铅双层铁电复合薄膜材料及其制备方法。本发明采用化学溶液法结合层层快速退火工艺，制备在衬底材料上生长作为底层的高(110)－或(111)－取向的BiFeO3薄膜和作为表层的高居里点铋系层状钙钛矿薄膜，其中高(110)－或(111)－取向的BiFeO3薄膜，厚度为0.1μm～1μm，高居里点铋系层状钙钛矿薄膜，厚度为10nm～60nm。本发明在500℃～600℃的退火温度下得到了具有大剩余极化、低漏电流、抗疲劳性能好和高压电常数的无铅双层铁电复合薄膜，在未来的高温压电器件中具有良好的实用前景。