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公开(公告)号：CN104558046B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410852775.1
申请日：2014-12-31
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C07F9/6593 , C08K5/5399 , C08L23/12 , C08L23/06 , C08L25/06
Abstract: 本发明提供了一种合成基于HCCP的超支化离子液体阻燃剂的方法，该方法利用HCCP与三烷基叔胺、三烷基磷、N‑烷基咪唑反应实现离子化，然后利用含有不同阴离子的盐如四氟硼酸钠、六氟磷酸钾、双三氟甲基磺酰亚胺锂等进行离子交换得到不同阴离子的超支化离子液体阻燃剂，实现HCCP与离子液体的协同阻燃。本发明所合成的基于HCCP的超支化离子液体可用于各类聚合物中作为阻燃剂使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103910820B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410127054.4
申请日：2014-03-31
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C08F130/02 , C08F230/02 , C08F212/08 , C08F212/14 , C08F230/06 , C08F220/18 , C08F112/14 , C08J9/12 , C08L67/04 , C08L25/06 , C08L33/12 , C08L43/02 , C08L43/00 , C08L25/18
Abstract: 本发明公开了一种六面体倍半硅氧烷基超支化聚合物（POSS基超支化聚合物）的制备方法：将POSS基引发剂、离子液体单体、催化剂、催化剂配体或POSS基引发剂、离子液体单体、催化剂、催化剂配体、第二反应单体在溶剂中进行原子转移自由基聚合反应，制得六面体倍半硅氧烷基超支化聚合物。本发明提供的POSS基超支化聚合物可作为成核剂应用于聚合物超临界CO2发泡，制备聚合物发泡材料，所得发泡材料的泡孔尺寸可降低到2μm以下，泡孔成核率可提高一个数量级。
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公开(公告)号：CN104558046A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410852775.1
申请日：2014-12-31
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C07F9/6593 , C08K5/5399 , C08L23/12 , C08L23/06 , C08L25/06
Abstract: 本发明提供了一种合成基于HCCP的超支化离子液体阻燃剂的方法，该方法利用HCCP与三烷基叔胺、三烷基磷、N-烷基咪唑反应实现离子化，然后利用含有不同阴离子的盐如四氟硼酸钠、六氟磷酸钾、双三氟甲基磺酰亚胺锂等进行离子交换得到不同阴离子的超支化离子液体阻燃剂，实现HCCP与离子液体的协同阻燃。本发明所合成的基于HCCP的超支化离子液体可用于各类聚合物中作为阻燃剂使用。
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公开(公告)号：CN103910820A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410127054.4
申请日：2014-03-31
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C08F130/02 , C08F230/02 , C08F212/08 , C08F212/14 , C08F230/06 , C08F220/18 , C08F112/14 , C08J9/12 , C08L67/04 , C08L25/06 , C08L33/12 , C08L43/02 , C08L43/00 , C08L25/18
Abstract: 本发明公开了一种六面体倍半硅氧烷基超支化聚合物（POSS基超支化聚合物）的制备方法：将POSS基引发剂、离子液体单体、催化剂、催化剂配体或POSS基引发剂、离子液体单体、催化剂、催化剂配体、第二反应单体在溶剂中进行原子转移自由基聚合反应，制得六面体倍半硅氧烷基超支化聚合物。本发明提供的POSS基超支化聚合物可作为成核剂应用于聚合物超临界CO2发泡，制备聚合物发泡材料，所得发泡材料的泡孔尺寸可降低到2μm以下，泡孔成核率可提高一个数量级。
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公开(公告)号：CN104327373B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201410523527.2
申请日：2014-10-08
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C08L23/12 , C08L23/06 , C08L69/00 , C08L25/06 , C08L67/04 , C08L33/12 , C08K3/34 , C08K7/24 , C08K3/26 , C08K3/04 , C08J9/12 , C08J9/14
Abstract: 纳米粒子在聚合物基体中高度取向的聚合物基纳米复合材料的制备方法，属于高分子材料技术领域。该制备方法为在聚合物与纳米粒子通过熔融共混得到的聚合物纳米复合材料进行发泡过程中通过施加外力使该材料中泡孔沿单轴方向取向生长，在外力和泡孔生长双重诱导聚合物流动实现纳米粒子的高度取向，得到纳米粒子在聚合物基体中高度取向的聚合物纳米复合材料。本方法具有操作简便，条件温和，所制备的聚合物纳米复合材料中纳米粒子取向度高等优点。
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公开(公告)号：CN104327373A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410523527.2
申请日：2014-10-08
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C08L23/12 , C08L23/06 , C08L69/00 , C08L25/06 , C08L67/04 , C08L33/12 , C08K3/34 , C08K7/24 , C08K3/26 , C08K3/04 , C08J9/12 , C08J9/14
CPC classification number: C08K3/04 , C08J9/122 , C08J9/141 , C08J9/144 , C08J9/146 , C08J2323/12 , C08J2325/06 , C08J2333/12 , C08J2367/04 , C08K3/045 , C08K3/26 , C08K3/346 , C08K7/24 , C08K9/04 , C08K2003/265 , C08K2201/011 , C08L2201/14 , C08L2205/06 , C08L25/06 , C08L33/12 , C08L23/12 , C08L67/04
Abstract: 纳米粒子在聚合物基体中高度取向的聚合物基纳米复合材料的制备方法，属于高分子材料技术领域。该制备方法为在聚合物与纳米粒子通过熔融共混得到的聚合物纳米复合材料进行发泡过程中通过施加外力使该材料中泡孔沿单轴方向取向生长，在外力和泡孔生长双重诱导聚合物流动实现纳米粒子的高度取向，得到纳米粒子在聚合物基体中高度取向的聚合物纳米复合材料。本方法具有操作简便，条件温和，所制备的聚合物纳米复合材料中纳米粒子取向度高等优点。
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