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公开(公告)号：CN115362552A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026828.2
申请日：2021-01-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/144 , H04N5/369
Abstract: 固体摄像装置(1)具备：半导体基板(20)，其具有设置有多个光感应区域(3)的主面(20a)；及绝缘膜(30)，其设置于半导体基板(20)的主面(20a)。在绝缘膜(30)中的半导体基板(20)的主面(20a)的相反侧的面(主面(30b))，形成有多个凹凸(R)，在光感应区域(3)中，存在多个凹凸(R)的高低差。
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公开(公告)号：CN102460961B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201080027820.X
申请日：2010-06-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的光检测装置(1)具备光电二极管(PD)及积分电路(10)。积分电路(10)包含放大电路(20)、电容元件(C)、第1开关(SW1)及第2开关(SW2)。第2开关(SW2)设置于被输入基准电位(Vref)的基准电位输入端子、与放大电路(20)的反相输入端子侧的电容元件(C)的端子之间，且可根据第2重置信号(Reset2)的电平进行开闭动作，对电容元件的端子施加基准电位(Vref)。由此，实现能够满足低耗电量化及高速化两者的积分电路及光检测装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114641986B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202080075218.7
申请日：2020-09-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 影像传感器(5)具备多个像素(10)。各像素(10)具有光电转换部(11)、控制蓄积于光电转换部(11)的电荷的排出的重设栅极(12)、电荷蓄积部(13)、控制电荷自光电转换部(11)向电荷蓄积部(13)移动的蓄积栅极(14)、及控制来自电荷蓄积部(13)的电荷的读取的读取栅极(16)。重设栅极(12)将通过激发光的入射而在光电转换部(11)产生的电荷排出。蓄积栅极(14)将通过荧光的入射而在光电转换部(11)产生的电荷移动至电荷蓄积部(13)。读取栅极(16)在电荷向电荷蓄积部(13)的移动进行n次后进行用于读取电荷的控制。电荷的移动次数n可对每个像素(10)设定。由此，可实现一种可选择性地提高多个像素中一部分像素的信号量，且可仅检测交替入射的2束光中的一者的影像传感器。
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公开(公告)号：CN102460963B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080027821.4
申请日：2010-06-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H03F3/082 , G01J1/46 , H03F1/02 , H03F3/087 , H03F3/3022 , H03F3/45192 , H03F3/45475 , H03F3/45977 , H03F2200/264 , H03F2200/411 , H03F2203/45166 , H03F2203/45174 , H03F2203/45512 , H03F2203/45514 , H03F2203/45536
Abstract: 本发明的光检测装置(1)具备光电二极管(PD)及积分电路(11)。积分电路(11)包含放大电路(20)、电容元件(C2)及第2开关(SW2)。放大电路(20)具有由PMOS晶体管(T1)及NMOS晶体管(T2)各自的漏极端子互相连接而成的驱动部。由PMOS晶体管(T10)构成的第1开关(SW1)，对应于被输入至栅极端子的第1重置信号(Reset1)的电平而进行开闭动作。第1重置信号(Reset1)为低电平时，第1开关(SW1)成为闭合状态，对PMOS晶体管(T1)的栅极端子施加电源电位(VDD)，由此使PMOS晶体管(T1)成为关闭状态。由此，可实现可兼顾低耗电化及高速化的放大电路、积分电路及光检测装置。
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公开(公告)号：CN102460961A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080027820.X
申请日：2010-06-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的光检测装置(1)具备光电二极管(PD)及积分电路(10)。积分电路(10)包含放大电路(20)、电容元件(C)、第1开关(SW1)及第2开关(SW2)。第2开关(SW2)设置于被输入基准电位(Vref)的基准电位输入端子、与放大电路(20)的反相输入端子侧的电容元件(C)的端子之间，且可根据第2重置信号(Reset2)的电平进行开闭动作，对电容元件的端子施加基准电位(Vref)。由此，实现能够满足低耗电量化及高速化两者的积分电路及光检测装置。
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公开(公告)号：CN114641986A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080075218.7
申请日：2020-09-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/353 , H04N5/3745
Abstract: 影像传感器(5)具备多个像素(10)。各像素(10)具有光电转换部(11)、控制蓄积于光电转换部(11)的电荷的排出的重设栅极(12)、电荷蓄积部(13)、控制电荷自光电转换部(11)向电荷蓄积部(13)移动的蓄积栅极(14)、及控制来自电荷蓄积部(13)的电荷的读取的读取栅极(16)。重设栅极(12)将通过激发光的入射而在光电转换部(11)产生的电荷排出。蓄积栅极(14)将通过荧光的入射而在光电转换部(11)产生的电荷移动至电荷蓄积部(13)。读取栅极(16)在电荷向电荷蓄积部(13)的移动进行n次后进行用于读取电荷的控制。电荷的移动次数n可对每个像素(10)设定。由此，可实现一种可选择性地提高多个像素中一部分像素的信号量，且可仅检测交替入射的2束光中的一者的影像传感器。
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公开(公告)号：CN102460963A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080027821.4
申请日：2010-06-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H03F3/082 , G01J1/46 , H03F1/02 , H03F3/087 , H03F3/3022 , H03F3/45192 , H03F3/45475 , H03F3/45977 , H03F2200/264 , H03F2200/411 , H03F2203/45166 , H03F2203/45174 , H03F2203/45512 , H03F2203/45514 , H03F2203/45536
Abstract: 本发明的光检测装置(1)具备光电二极管(PD)及积分电路(11)。积分电路(11)包含放大电路(20)、电容元件(C2)及第2开关(SW2)。放大电路(20)具有由PMOS晶体管(T1)及NMOS晶体管(T2)各自的漏极端子互相连接而成的驱动部。由PMOS晶体管(T10)构成的第1开关(SW1)，对应于被输入至栅极端子的第1重置信号(Reset1)的电平而进行开闭动作。第1重置信号(Reset1)为低电平时，第1开关(SW1)成为闭合状态，对PMOS晶体管(T1)的栅极端子施加电源电位(VDD)，由此使PMOS晶体管(T1)成为关闭状态。由此，可实现可兼顾低耗电化及高速化的放大电路、积分电路及光检测装置。
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