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公开(公告)号:CN112313543B
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN201980042656.0
申请日:2019-02-21
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146
Abstract: 放射线检测器具备:基板,其具有第1电极部;放射线吸收层,其相对于基板配置于一侧,且由多个钙钛矿晶体构成;及第2电极部,其相对于放射线吸收层配置于一侧,且经由放射线吸收层与第1电极部相对。在放射线吸收层中第1电极部与第2电极部之间的区域上,多个钙钛矿晶体分别以将第1电极部与第2电极部相对的第1方向作为长边方向而延伸的方式形成。
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公开(公告)号:CN114174815B
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202080053642.1
申请日:2020-05-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01N27/414 , G01N27/333
Abstract: 气味检测装置包括:具有感应膜,输出与感应膜的电位变化对应的输出信号的离子传感器;配置在感应膜上,状态由于吸附检测对象的气味物质而发生变化,并产生感应膜的电位变化的物质吸附膜;和取得离子传感器的输出信号,以该输出信号的自预先确定的基准值起的偏差减少的方式对用于驱动离子传感器的驱动信号进行调整的调整部。
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公开(公告)号:CN101512904B
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN200780033217.0
申请日:2007-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H03M1/0682 , H01L27/14609 , H03M1/0604 , H03M1/468 , H04N5/378
Abstract: AD转换电路(20)具备差动放大部(21)、第1可变电容部(22A)、第2可变电容部(22B)、比较部(23)、连接控制部(24)、第1反馈部(25A)、以及第2反馈部(25B)。作为差动信号从差动放大部(21)的第1输出端子和第2输出端子输出的电压值由逐次比较型AD转换电路(由第1可变电容部(22A)、第2可变电容部(22B)、比较部(23)、以及连接控制部(24)构成)转换为6位的数字值并输出。第1共同点(P1)和第2共同点(P2)之间的电位差由第1反馈部(25A)和第2反馈部(25B)反馈至差动放大部(21),再由逐次比较型AD转换电路转换为6位的数字值并输出。
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公开(公告)号:CN101517374A
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:CN200780034483.5
申请日:2007-09-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01D5/3473 , G01D5/34784
Abstract: 本发明涉及一种编码器,其特征在于,具有:形成有狭缝且彼此联动而旋转的第1旋转体及第2旋转体;向所述狭缝射出被检测光的光源装置;光检测装置,其具有沿圆环状的排列线排列有多个光检测元件的第1刻度及第2刻度、以及基于通过所述狭缝而入射于所述第1刻度及所述第2刻度的所述光检测元件的所述被检测光的光强度而输出输出信号的输出部。所述第2旋转体相对于所述第1旋转体的转速比不同,所述光检测元件在每个规定的相位角被赋予属性。
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公开(公告)号:CN100501355C
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200380107779.7
申请日:2003-12-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/44 , G01T1/20 , H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/335
CPC classification number: G01J1/46 , H01L27/14634 , H01L27/14663 , H01L2224/16 , H04N5/235
Abstract: 本发明的目的是提供一种输入光强度检测的动态范围广并且能够高速地检测入射光强度的光检测装置。各光电二极管(PDm,n)产生对应于入射光强度量的电荷(Q)。电荷量电平判断电路(10m,n)与光电二极管(PDm,n)对应设置,判断该光电二极管(PDm,n)产生的电荷(Q)的量的电平,输出表示该电平判别结果的电平信号(Level),积分电路(20m)的积分电容部21从N个电荷量电平判断电路(10m,1~10m,N)各自顺序地输出,基于输入的电平信号(Level)设定电容值,积分电路(20m)在积分电容部(21)中积蓄从N个光电二极管(PDm,1~PDm,N)各自顺序地输出而输入到该输入端的电荷(Q),从输出端输出对应该积蓄的电荷(Q)的量的电压值(V20)。
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公开(公告)号:CN100401751C
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200480028899.2
申请日:2004-09-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N5/235 , H04N5/35518 , H04N5/35527
Abstract: 本发明涉及具有用来能够进行高灵敏度且动态范围宽的光检测的结构的光检测装置。如果光入射于光检测部内的有源像素型的像素部,则根据该像素部中所含有的光电二极管中发生的电荷量的电压值经由选择用晶体管从像素部输出。第一像素数据读出部把来自像素部的输出作为第一电压值输出。另一方面,像素部中所含有的光电二极管中发生的电荷经由放电用晶体管从像素部输出。经由开关流入第二像素数据读出部的电荷蓄积于电容元件,根据此蓄积电荷量的电压值作为第二电压值从第二像素数据读出部输出。第二像素数据读出部内的电容元件的电容值大于像素部中所含有的寄生电容部的电容值。
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公开(公告)号:CN101116328A
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200680004025.2
申请日:2006-02-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/335
Abstract: 本发明提供一种可进行高速图像读出的固体摄像装置。在第n个图像电路(例如PU1)中,各个摄像区块(B1、B2、B3)中第n个像素列(N1)可经由开关(Q(1)、Q(4)、Q(7))全部连接,故即使在读出区域(R)小的情况下,也可使来自邻接的像素列(N2)的信号,由不同处理电路(PU2)个别处理。而且,利用图像数据运算部(10),将读出区域限制在部分读出区域(R),故可进行更高速的摄像。
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公开(公告)号:CN101103461A
公开(公告)日:2008-01-09
申请号:CN200680001903.5
申请日:2006-02-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/3559 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置,其可以实现线性特性及动态范围两者的提高。固体摄像装置的各像素部(Pm,n)包括:埋入型光敏二极管(PD),产生与入射光强度的量相应的电荷;电容元件(C),与埋入型光敏二极管(PD)并联连接,储存由该埋入型光敏二极管(PD)产生的电荷;放大晶体管(T1),输出与输入到门极端子的电压值相应的电压值;传送晶体管(T2),将与电容元件(C)的储存电荷量相应的电压值向放大晶体管(T1)的门极端子输入;放电晶体管(T3),进行电容元件(C)的电荷的放电;选择晶体管(T4),选择性地向配线(Ln)输出从放大晶体管(T1)输出的电压值。
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公开(公告)号:CN1742240A
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN200480002734.8
申请日:2004-01-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G03G15/01 , G03G15/00 , H01L27/146
CPC classification number: H04N1/506 , G03G15/0194 , G03G2215/0119 , G03G2215/0161 , H01L27/14603
Abstract: 光检测部(5)具有光感应区域(10)、第一信号处理电路(20)和第二信号处理电路(30)。光感应区域(10)将像素(11mn)以二次元排列成M行N列。一个像素的构成是在同一面内配置邻接的光感应部分(12mn)和光感应部分(13mn),分别用来输出与射入光的强度对应的电流。横跨在二次元配列中的在第一方向排列的多个像素(1111)~(111N)、…、(11M1)~(11MN),使一方的光感应部分(12mn)彼此互相电连接。另外,横跨在二次元配列中的在第二方向排列的多个像素(1111)~(11M1)、…、(111N)~(11MN),使另一方的光感应部分(13mn)彼此互相电连接。
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公开(公告)号:CN1732574A
公开(公告)日:2006-02-08
申请号:CN200380107783.3
申请日:2003-12-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01J1/46 , H01L27/14609 , H01L27/14661 , H04N5/37455 , H04N5/378
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使光检测的动态范围、S/N比以及速度任何一者都能够得到提高的光检测装置。光电二极管(PDm,n)发生对应于入射光强度的量的电荷,并存储在结电容部中。电荷量电平判断电路(10m,n)判断在光电二极管(PDm,n)中发生并蓄积在结电容部中的电荷量的电平。积分电路(20m)根据该电荷量电平判断结果,设定积分电容部(21)的电容值,将从光电二极管(PDm,n)经过开关(SW1m,n)输入的电荷蓄积在积分电容部(21)中,输出对应于该蓄积电荷量的电压值(V20)。输入到积分电路(20m)的放大器A的非反相输入端子中的电压值(Vinp)被设定得积分电路(20m)的积分电容部(21)蓄积电荷的第二期间的电压值比光电二极管(PDm,n)的结电容部蓄积电荷的第一期间的大。
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