相位调制层的设计方法及发光元件的制造方法

    公开(公告)号:CN117795794A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202280055441.4

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本发明的相位调制层的设计方法是作为包括发光部和与所述发光部光学耦合的相位调制层的iPMSEL的发光元件的所述相位调制层的设计方法,具备生成所述相位调制层的设计图案的生成工序,所述相位调制层包括基本层、及折射率与所述基本层不同且在与该相位调制层的厚度方向垂直的面内二维状地分布的多个异折射率区域,所述生成工序包括:生成第1设计图案的第1工序,该第1设计图案是用于设计所述异折射率区域使得所述异折射率区域的分布成为与所述发光元件的输出的光学图像对应的分布的图案,并包含与所述光学图像的亮点对应的亮点;及从所述第1设计图案生成第2设计图案的第2工序,其通过将在所述第1工序中生成的第1设计图案分割为多个区域,并进行剔除包含于各个该区域的多个亮点中的至少1个亮点的处理。

    面发光激光元件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117178447A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202280029667.7

    申请日:2022-03-02

    Abstract: 本公开的面发光激光元件具备:第1电极;下部包层;活性层;上部包层;缓和层;接触层,其具有与上部包层不同的带隙;第2电极;以及光子晶体层,其设置于下部包层和活性层之间、或者活性层和上部包层之间,包含基本区域、以及与基本区域折射率不同且在与厚度方向垂直的面内二维状地分布的多个异折射率区域,并且在面内形成光的共振模式。缓和层具有上部包层的带隙和接触层的带隙之间的大小的带隙。

    三维测量装置
    6.
    发明公开
    三维测量装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN113295110A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110187715.2

    申请日:2021-02-18

    Abstract: 三维测量装置(101)具备:一个或多个光源部(102),其对被测量物(SA)照射具有规定图案的测量光(105);一个或多个摄像部(103),其对被照射了测量光(105)的被测量物(SA)进行摄像;测量部(104),其基于摄像部(103)的摄像结果测量被测量物(SA)的三维形状,光源部(102)由M点振荡的S-iPMSEL(1)构成。

    三维测量装置
    10.
    发明公开
    三维测量装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115388809A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211213682.5

    申请日:2021-02-18

    Abstract: 三维测量装置(101)具备:一个或多个光源部(102),其对被测量物(SA)照射具有规定图案的测量光(105);一个或多个摄像部(103),其对被照射了测量光(105)的被测量物(SA)进行摄像;测量部(104),其基于摄像部(103)的摄像结果测量被测量物(SA)的三维形状,光源部(102)由M点振荡的S-iPMSEL(1)构成。

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