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公开(公告)号：CN110965034A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911096498.5
申请日：2019-11-11
Applicant: 温州职业技术学院
Inventor： 黄志宏
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种高熵合金靶材制备装置，包括壳体以及位于壳体一侧的驱动电机，驱动电机的输出轴穿入壳体内设置有转动盘，转动盘的一侧转动连接有大齿轮，大齿轮的外周等间距啮合有六个小齿轮，每个小齿轮的轴心处均与转动盘转动连接，六个小齿轮所远离大齿轮的一侧均啮合有同一个齿圈；每个小齿轮的一侧均设置有靶筒，每个小齿轮的一侧均穿设有固定杆，每个固定杆的一端与转动盘固定连接，每个固定杆的另一端固定连接有磁棒管件，磁棒管件位于靶筒内，大齿轮的一侧设置有待镀膜工件，待镀膜工件与大齿轮为同轴心设置。本发明具有以下有益效果：这种装置可实现高均匀性、大面积薄膜沉积，且可同时提高多个靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN108165943B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201810065436.7
申请日：2018-01-23
Applicant: 温州职业技术学院
Abstract: 本发明公开了具有结构梯度的TiB2涂层的制备方法，采用磁控溅射离子镀法，以TiB2陶瓷靶为阴极，以惰性气体为工作气体，真空腔体接地；首先，对工件施加正偏压，在工件上沉积TiB2层，即TiB2粘附层；然后，按预设频率对工件交替施加正偏压和负偏压，在TiB2粘附层上继续沉积TiB2层，即TiB2梯度层；最后，对工件施加负偏压，在TiB2梯度层上继续沉积TiB2层，即TiB2功能层。本发明工艺简化，具有更好的工艺稳定性和更少的工艺时间；所制备具有梯度结构的TiB2涂层具有更优的膜基附着力和更强的存载能力。
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公开(公告)号：CN107937877B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201711132455.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 温州职业技术学院
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极技术的DLC镀膜装置，包括真空腔、旋转工件架、旋转电弧靶、旋转磁控靶、进气系统、抽真空系统、加热系统和电源系统，所述真空腔接地，所述电源系统包括磁控溅射电源、电弧电源、偏压电源、第一接触器、第二接触器、第三接触器和第四接触器；偏压电源的阴极连接旋转工件架上工件，通过第一接触器连接偏压电源的阳极和旋转电弧靶，通过第二接触器连接偏压电源的阳极和旋转磁控靶；磁控溅射电源的阴极连接旋转磁控靶，通过第三接触器连接磁控溅射电源的阳极和旋转电弧靶；电弧电源的阴极连接旋转电弧靶，通过第四接触器连接电弧电源的阳极和旋转磁控靶。本发明可显著提高DLC镀膜工艺的稳定性和DLC镀膜产品的性能。
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公开(公告)号：CN107779839B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201711133112.4
申请日：2017-11-15
Applicant: 温州职业技术学院
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极技术的DLC镀膜方法，采用DLC镀膜装置进行镀膜，至少包括：步骤1，在惰性气氛下，以磁控靶为阳极、电弧靶为阴极进行电弧放电，产生等离子体；以基材为阴极、磁控靶为阳极对基材施加偏压，对基材进行等离子刻蚀清洗；步骤2，在惰性气氛下，以旋转磁控靶为阴极、旋转电弧靶为阳极进行磁控溅射；以旋转电弧靶为阳极、工件为阴极施加偏压，在基材上沉积金属过渡层；步骤3，通入碳氢类原料气体，以电弧靶为阳极、工件为阴极施加偏压，采用PaCVD法在金属过渡层上沉积DLC层。本发明可显著提高DLC镀膜工艺的稳定性和DLC镀膜产品的性能。
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公开(公告)号：CN119811976A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510310980.3
申请日：2025-03-17
Applicant: 温州职业技术学院
Inventor： 黄志宏
Abstract: 本发明涉及电弧源技术领域，特指直管磁过滤径向电弧源，包括阴极组件和阳极套筒，且阴极组件包括靶座，并且靶座包括底板和靶柱，所述靶柱外套设有靶材并内置有阴极磁钢组，且阴极磁钢组为一对环状磁钢，并且两个环状磁钢的磁场方向相反并为径向；所述阳极套筒为直管并套设有阳极磁钢，且阳极磁钢为圆筒，并且其磁场方向为轴向，且阳极套筒设置于底板上并与底板之间设置有绝缘板。因而本发明的等离子体和液滴在靶面是沿径向发射，并在阳极磁场约束下，等离子体为轴向传输，而液滴被阳极套筒内壁捕获，从而实现液滴的过滤和等离子体净化，相比较弯管，直管的结构较为简单且占用空间小，故方便加工与维护，而且传输路径较短，且传输效率较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118675965B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411147116.8
申请日：2024-08-21
Applicant: 温州职业技术学院
Inventor： 黄志宏
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明涉及离子源技术领域，特指一种线形热丝弧离子源，包括阳极组件和阴极组件，其中阳极组件包括基板，且阴极组件设置于基板的一侧；所述阴极组件包括灯丝和两个灯丝安装架，且灯丝安装架包括安装块以及设置在安装块上的U型管和金属棒，其中灯丝两端分别设置于两个金属棒上，且基板、安装块和U型管由金属制成，并且U型管两端穿过基板并露出，且U型管与基板之间设置有绝缘件。因而本发明通过灯丝发射电子，其该电子与气体碰撞可形成线形等离子体，相比较圆形等离子体，线形等离子体的均匀性更好进而可应用涂层，而且由于是热丝弧离子源，并不采用间隔屏幕，故不存在阳极层离子源的问题，即避免了频繁的定期清洁。
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公开(公告)号：CN114481064A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111651523.9
申请日：2021-12-30
Applicant: 温州职业技术学院
Abstract: 本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种用于ta‑C膜沉积的磁控溅射生成碳离子的方法及ta‑C膜沉积方法。本发明通过在磁控溅射产生碳离子的组件中采用两个相对设置的第一靶材，当等离子体中的粒子轰击第一靶材，形成的碳离子和碳颗粒向两个第一靶材中间的区域运动，碳离子在电磁场的作用下，离开溅射区，进入到磁场导向区，通过离子出口进入真空腔室，进行沉积，而绝大多数不带电的碳颗粒保留在溅射区，进一步与等离子体中的粒子碰撞形成碳离子，本发明既能大大减少沉积区域的碳颗粒数量，同时不影响沉积速度。
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公开(公告)号：CN114481025A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111655615.4
申请日：2021-12-30
Applicant: 温州职业技术学院
Abstract: 本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种ta‑C沉积镀膜方法。其采用的电弧离子镀装置包括具有一端封闭且另一端为开口的直筒方形状空腔的离子镀壳体，其内固定有两组阴极弧源组件，其相对直筒方形状空腔中心轴倾斜一定角度或平行，工作后，阴极弧源组件靶材表面产生沉积的正离子和不带电的粒子，当所镀工件接入偏压电源负极，正离子在导引磁场及辅助阳极形成的电磁驱动作用下向所镀工件方向运动，在负偏压作用下沉积在工件表面形成镀膜，而不带电的粒子沿其本身的速度方向向前移动，沉积在另一个碳靶或离子镀壳体内壁上，被过滤掉而不进入沉积腔室内。离子镀壳体的体积大，路程短，并且直接与真空腔体相连，沉积速率将大幅度提升。
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公开(公告)号：CN112063975A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010737107.X
申请日：2020-07-28
Applicant: 温州职业技术学院
Abstract: 本发明涉及真空镀膜涂层制备领域，具体涉及一种通过调制强流脉冲电弧制备ta‑C涂层的方法，包括以下步骤：（1）形成基础层：通过调制电磁驱动的电弧放电沉积金属层或金属与C和/或N的化合物，即为基础层；（2）形成ta‑C层：通过调制强流脉冲电弧形成无氢四面体非晶碳层的类金刚石涂层，即为ta‑C层。调制线圈与电弧离子镀阴极上的磁体相互作用，可有效驱动石墨靶材弧斑，从而实现石墨靶全靶面运动，提升靶材利用率；脉冲强流可改善靶面的瞬间磁场强度，提升弧斑运动速度，同时较小的稳弧电流及瞬间强流可有效减少大颗粒的产生，从而在基材表面制备高硬耐磨的高SP3含量的类金刚石涂层。
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公开(公告)号：CN108857336A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810335629.X
申请日：2018-03-31
Applicant: 温州职业技术学院
IPC: B23P19/027 , G01M3/26 , F04B51/00
Abstract: 本发明涉及一种自动化装置的技术领域，尤其是泵及其智能制造装备。泵及其智能制造装备，包括油泵总成和装配检测设备；油泵总成包括泵体和盖板；装配检测设备包括工作台、以及设置于工作台的台板顶面的分度转盘；工作台的台板底面设置有电机、以及用于驱动分度转盘作等角度转动的分割器，分割器的动作输入部与电机的转轴连接固定，分度转盘圆心位置的联轴器底端贯穿工作台的台板后与分割器连接固定，分度转盘的顶面安装有用于定位油泵的多个柔性工件装配机构，且各柔性工件装配机构以同等角度均匀分布于分度转盘的顶面上；工作台的台板上还安装有对定位在柔性工件装配机构上的油泵总成位置对应的泄露测试单元。其结构仅需一个操作工人即可完成自动化测试，测试结果理想、可靠、精度较高，劳动强度也相对较低，工作效率较高，人工成本低。
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