公开(公告)号：CN112881476B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202110072715.8

申请日：2021-01-20

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王钊 ,  杨伟佳 ,  谈论 ,  熊娟 ,  顾豪爽

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开一种响应类型可调的二维半导体室温氢气传感器及制作方法，所述氢气传感器通过化学气相沉积法(CVD)在Si/SiO2衬底上生长二维MoS2薄膜，再利用滴涂的方法在MoS2薄膜上修饰SnO2制备，其制作方法为：对管式炉内高、低温区装有MoO3和升华硫的石英舟（且MoO3上有Si/SiO2衬底）依次抽负压—充氩气三次，再保压并分别加热高低温区至设定值得到MoS2薄膜，在MoS2薄膜的Si/SiO2衬底上制备基于MoS2薄膜的氢敏器件，将SnO2水胶分散液滴涂在氢敏器件上，经真空干燥、真空退火得到。传感器可在室温下工作，灵敏可靠、成本低且易于集成，利用SnO2对二维MoS2薄膜进行修饰，实现对氢气的从n型到p型响应的转变，二维MoS2薄膜电子传输快，精度高，信噪比高，具有能与传统Si技术集成的高兼容性。

公开(公告)号：CN112881476A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110072715.8

申请日：2021-01-20

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王钊 ,  杨伟佳 ,  谈论 ,  熊娟 ,  顾豪爽

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开一种响应类型可调的二维半导体室温氢气传感器及制作方法，所述氢气传感器通过化学气相沉积法(CVD)在Si/SiO2衬底上生长二维MoS2薄膜，再利用滴涂的方法在MoS2薄膜上修饰SnO2制备，其制作方法为：对管式炉内高、低温区装有MoO3和升华硫的石英舟（且MoO3上有Si/SiO2衬底）依次抽负压—充氩气三次，再保压并分别加热高低温区至设定值得到MoS2薄膜，在MoS2薄膜的Si/SiO2衬底上制备基于MoS2薄膜的氢敏器件，将SnO2水胶分散液滴涂在氢敏器件上，经真空干燥、真空退火得到。传感器可在室温下工作，灵敏可靠、成本低且易于集成，利用SnO2对二维MoS2薄膜进行修饰，实现对氢气的从n型到p型响应的转变，二维MoS2薄膜电子传输快，精度高，信噪比高，具有能与传统Si技术集成的高兼容性。