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公开(公告)号：CN101680863B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880018905.4
申请日：2008-05-28
Applicant: 株式会社渥美精机 , 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: G01N33/005 , G01N31/22
Abstract: 本发明提供一种氢传感器。在氢传感器(10a、10b、10c、10d)中，薄膜层(12)形成在基板(11)上，缓冲层(13)层积在薄膜层(12)上。并且，一旦与氢气接触就使薄膜层(12)氢化并使薄膜层(12)的光学反射率变化的催化剂层(14)层积在缓冲层(13)上。从薄膜层(12)向催化剂层(14)扩散的成分与从缓冲层(13)向催化剂层(14)扩散的成分结合，从而防止催化剂层(14)的氧化。其结果是，防止随着薄膜层(12)的反复氢化而产生的催化剂层(14)等的氧化，并抑制氢传感器(10a、10b、10c、10d)的氢检测灵敏度的降低。
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公开(公告)号：CN101542274A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780043427.8
申请日：2007-07-10
Applicant: 株式会社渥美精机 , 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: G01N21/7703 , G01N21/783 , G01N2021/7773 , Y10T436/22
Abstract: 本发明涉及一种氢传感器和氢气检测装置。在氢传感器的平板光传送路径表面形成有薄膜层，在薄膜层的表面形成有催化剂层。在平板光传送路径与薄膜层之间形成第一分界面，通过向平板光传送路径的背面接合基板而在平板光传送路径与基板之间形成第二分界面。来自光源的光从射入部一边向平板光传送路径的第一端侧扩散一边射入后，在第一分界面与第二分界面之间被交替反射，并向平板光传送路径的第二端侧传送。然后，使该光从第二端侧射出后由射出聚光部向光传感器传送。这时，当利用与氢接触的催化剂层使薄膜层氢化时，则来自第一分界面的反射光量降低。由光传感器检测该降低了的光量，由此来检测氢气。
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公开(公告)号：CN103842900B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280047671.2
申请日：2012-09-21
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G02F1/15
CPC classification number: G02F1/19 , C03C17/3663 , C03C17/40 , E06B9/24 , E06B2009/2405 , E06B2009/2464 , G02F1/153 , G02F2202/34 , G02F2203/02
Abstract: 本发明的反射型调光元件，包括：调光层，当与氢进行可逆反应时，所述调光层呈现透明状态与反射状态之间的可逆变化；以及催化剂层，促进所述调光层的所述可逆反应，其中，所述调光层包括合金或该合金的氢化物，所述合金含有从由第二族元素构成的组中所选出的至少一种元素、以及从由第三族元素及稀土元素构成的组中所选出的至少两种元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104412154A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380032712.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: G02F1/19 , E06B2009/2464 , G02F1/1523 , G02F1/153 , G02F1/157 , G02F2001/1536 , G02F2201/34 , G02F2201/38 , G02F2201/501 , G02F2202/34 , G02F2203/02
Abstract: 本发明的反射型调光元件具有：状态在氢化所导致的透明状态和脱氢化所导致的反射状态之间可逆地变化的调光层(10)；对所述调光层(10)的所述氢化和所述脱氢化进行促进的催化层(20)；及配置在所述调光层(10)和所述催化层(20)之间，并对透过所述催化层(20)的氧气所导致的所述调光层(10)的氧化进行抑制的氧化抑制部(30)。
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公开(公告)号：CN101542274B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200780043427.8
申请日：2007-07-10
Applicant: 株式会社渥美精机 , 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: G01N21/7703 , G01N21/783 , G01N2021/7773 , Y10T436/22
Abstract: 本发明涉及一种氢传感器和氢气检测装置。在氢传感器的平板光传送路径表面形成有薄膜层，在薄膜层的表面形成有催化剂层。在平板光传送路径与薄膜层之间形成第一分界面，通过向平板光传送路径的背面接合基板而在平板光传送路径与基板之间形成第二分界面。来自光源的光从射入部一边向平板光传送路径的第一端侧扩散一边射入后，在第一分界面与第二分界面之间被交替反射，并向平板光传送路径的第二端侧传送。然后，使该光从第二端侧射出后由射出聚光部向光传感器传送。这时，当利用与氢接触的催化剂层使薄膜层氢化时，则来自第一分界面的反射光量降低。由光传感器检测该降低了的光量，由此来检测氢气。
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公开(公告)号：CN104412154B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201380032712.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: G02F1/19 , E06B2009/2464 , G02F1/1523 , G02F1/153 , G02F1/157 , G02F2001/1536 , G02F2201/34 , G02F2201/38 , G02F2201/501 , G02F2202/34 , G02F2203/02
Abstract: 本发明的反射型调光元件具有：状态在氢化所导致的透明状态和脱氢化所导致的反射状态之间可逆地变化的调光层(10)；对所述调光层(10)的所述氢化和所述脱氢化进行促进的催化层(20)；及配置在所述调光层(10)和所述催化层(20)之间，并对透过所述催化层(20)的氧气所导致的所述调光层(10)的氧化进行抑制的氧化抑制部(30)。
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公开(公告)号：CN103842900A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280047671.2
申请日：2012-09-21
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G02F1/15
CPC classification number: G02F1/19 , C03C17/3663 , C03C17/40 , E06B9/24 , E06B2009/2405 , E06B2009/2464 , G02F1/153 , G02F2202/34 , G02F2203/02
Abstract: 本发明的反射型调光元件，包括：调光层，当与氢进行可逆反应时，所述调光层呈现透明状态与反射状态之间的可逆变化；以及催化剂层，促进所述调光层的所述可逆反应，其中，所述调光层包括合金或该合金的氢化物，所述合金含有从由第二族元素构成的组中所选出的至少一种元素、以及从由第三族元素及稀土元素构成的组中所选出的至少两种元素。
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公开(公告)号：CN101680863A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880018905.4
申请日：2008-05-28
Applicant: 株式会社渥美精机 , 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: G01N33/005 , G01N31/22
Abstract: 本发明提供一种氢传感器。在氢传感器(10a、10b、10c、10d)中，薄膜层(12)形成在基板(11)上，缓冲层(13)层积在薄膜层(12)上。并且，一旦与氢气接触就使薄膜层(12)氢化并使薄膜层(12)的光学反射率变化的催化剂层(14)层积在缓冲层(13)上。从薄膜层(12)向催化剂层(14)扩散的成分与从缓冲层(13)向催化剂层(14)扩散的成分结合，从而防止催化剂层(14)的氧化。其结果是，防止随着薄膜层(12)的反复氢化而产生的催化剂层(14)等的氧化，并抑制氢传感器(10a、10b、10c、10d)的氢检测灵敏度的降低。
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