公开(公告)号：CN102482097A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080026595.8

申请日：2010-06-17

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 畠贤治 ,  保田谕 ,  D·N·弗塔巴 ,  汤村守雄

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01B32/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种通过使最适合CNT生长的形态的原料气体与催化剂接触，从而以高效率制造高纯度、高比表面积的CNT集合体的方法和装置。本发明的碳纳米管的制造装置具备合成炉、与合成炉连通的气体供给管及气体排气管、用于将合成炉内加热成规定温度的加热机构、将经由气体供给管供给的原料气体向合成炉内喷出的气体喷出机构，将经由气体供给管供给的原料气体向由加热机构加热的合成炉的加热区域内供给，从而从在基材上设置的催化剂层表面制造碳纳米管，并从气体排气管排出原料气体，所述碳纳米管的制造装置具备滞留时间调整机构，其使原料气体以大致均匀的量且大致相等的滞留时间与在基材上设置的催化剂层表面接触。

公开(公告)号：CN102482097B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201080026595.8

申请日：2010-06-17

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 畠贤治 ,  保田谕 ,  D·N·弗塔巴 ,  汤村守雄

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01B32/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种通过使最适合CNT生长的形态的原料气体与催化剂接触，从而以高效率制造高纯度、高比表面积的CNT集合体的方法和装置。本发明的碳纳米管的制造装置具备合成炉、与合成炉连通的气体供给管及气体排气管、用于将合成炉内加热成规定温度的加热机构、将经由气体供给管供给的原料气体向合成炉内喷出的气体喷出机构，将经由气体供给管供给的原料气体向由加热机构加热的合成炉的加热区域内供给，从而从在基材上设置的催化剂层表面制造碳纳米管，并从气体排气管排出原料气体，所述碳纳米管的制造装置具备滞留时间调整机构，其使原料气体以大致均匀的量且大致相等的滞留时间与在基材上设置的催化剂层表面接触。

公开(公告)号：CN101597051A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910004464.9

申请日：2009-02-25

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 畠贤治 ,  保田谕 ,  汤村守雄

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/34 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种取向碳纳米管集合体的制造方法以及制造装置，可以实现与取向CNT集合体的生长高度对应的CVD装置的自动控制，可以量产期望高度的取向CNT集合体。在基板(2)上向生长中的取向碳纳米管集合体(11)照射平行光(L)，利用使用了以焦距为无限远的方式发挥功能的远心光学系统的测定部(13)测定其影子的大小，从而实时地检测取向碳纳米管集合体的生长高度，并且合成取向碳纳米管集合体，在取向碳纳米管集合体的生长高度成为规定状态时，停止合成取向碳纳米管集合体。