公开(公告)号：CN111095035A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880055595.7

申请日：2018-08-22

Applicant: 王子控股株式会社

Inventor： 平间智 ,  篠塚启

IPC: G02B1/11 ,  G02B1/118 ,  G02B5/00

Abstract: 本发明提供一种抗反射结构体(1)，具备多个有底筒状的吸光单元(2)，所述吸光单元(2)包括具有大致圆形的外缘部的底部及沿所述外缘部竖立的壁部，所述底部的上方设为开口部，所述抗反射结构体(1)满足特定的条件。

公开(公告)号：CN104781059A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380059083.5

申请日：2013-12-11

Applicant: 王子控股株式会社

Inventor： 大纮太郎 ,  篠塚启 ,  八田嘉久

IPC: B29C33/38 ,  B29C33/42 ,  B29C59/02 ,  G02B1/11 ,  G02B5/18 ,  H01L21/027 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: G02B1/11 ,  B29C33/38 ,  B29C33/424 ,  B29C37/0053 ,  B29D11/00326 ,  B29L2011/00 ,  G02B1/10 ,  G02B1/118 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2933/0091 ,  Y10S977/887

Abstract: 该光学元件制作用模具具备母材及形成于母材的表面的凹凸层，凹凸层的凹凸结构具备以邻接的7个凸部的中心点与正六角形的6个顶点成为对角线的交点的位置关系连续整齐排列的复数个区域，该复数个区域的面积、形状及结晶方位为无规。

公开(公告)号：CN103765987A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280042109.0

申请日：2012-06-28

Applicant: 王子控股株式会社

Inventor： 篠塚启 ,  冈本隆之 ,  河向悦子 ,  山村范雄

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5275 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  Y10T428/24479

Abstract: 第一方式的有机发光二极管的制造方法的特征在于，其具备下述工序：通过以颗粒单层膜作为蚀刻掩模的干蚀刻法制作在表面设置有多个凹凸二维排列而成的凹凸结构的基板；和在该凹凸结构上至少层叠阳极导电层、具有含有有机发光材料的发光层的EL层、和具有金属层的阴极导电层，以便在该金属层的前述EL层侧的表面复印该凹凸结构，使用粒径不同的多种颗粒的混合物形成该颗粒单层膜，设置满足下述条件(A)和(B)的凹凸结构，条件(A)：平均高度为15nm以上且150nm以下，条件(B)：高度分布的光谱强度在波数的绝对值｜k｜处于下式(I)所示的全部范围内具有有限的值，并且光谱强度在该范围内的积分值具有占光谱强度在全部波数区域内的积分值的35%以上的值。εm(λ)表示构成前述金属层的金属的相对介电常数。εd(λ)表示前述EL层的等效相对介电常数。λmax表示提取波长的最大值，λmin表示提取波长的最小值。Re[]表示复数的实部。

公开(公告)号：CN108389944B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201810318509.9

申请日：2013-08-21

Applicant: 王子控股株式会社

Inventor： 八田嘉久 ,  篠塚启 ,  大纮太郎 ,  梶田康仁

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/50 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件用基板及一种半导体发光元件。本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。

公开(公告)号：CN108389944A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810318509.9

申请日：2013-08-21

Applicant: 王子控股株式会社

Inventor： 八田嘉久 ,  篠塚启 ,  大纮太郎 ,  梶田康仁

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/50 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02285 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/50 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件用基板及一种半导体发光元件。本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。

公开(公告)号：CN103765987B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201280042109.0

申请日：2012-06-28

Applicant: 王子控股株式会社

Inventor： 篠塚启 ,  冈本隆之 ,  河向悦子 ,  山村范雄

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5275 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  Y10T428/24479

Abstract: 第一方式的有机发光二极管的制造方法的特征在于，其具备下述工序：通过以颗粒单层膜作为蚀刻掩模的干蚀刻法制作在表面设置有多个凹凸二维排列而成的凹凸结构的基板；和在该凹凸结构上至少层叠阳极导电层、具有含有有机发光材料的发光层的EL层、和具有金属层的阴极导电层，以便在该金属层的前述EL层侧的表面复印该凹凸结构，使用粒径不同的多种颗粒的混合物形成该颗粒单层膜，设置满足下述条件(A)和(B)的凹凸结构，条件(A)：平均高度为15nm以上且150nm以下，条件(B)：高度分布的光谱强度在波数的绝对值｜k｜处于下式(I)所示的全部范围内具有有限的值，并且光谱强度在该范围内的积分值具有占光谱强度在全部波数区域内的积分值的35%以上的值。εm(λ)表示构成前述金属层的金属的相对介电常数。εd(λ)表示前述EL层的等效相对介电常数。λmax表示提取波长的最大值，λmin表示提取波长的最小值。Re[]表示复数的实部。

公开(公告)号：CN112639449A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980057800.8

申请日：2019-09-11

Applicant: 王子控股株式会社

Inventor： 篠塚启 ,  沈凌峰 ,  大纮太郎 ,  得能寿子 ,  本郷弘毅 ,  远藤江梨子

IPC: G01N21/65 ,  G01N21/41

Abstract: 本发明的分析用衬底具备：基材(10)，至少第一面(10a)包含介电体或半导体；及金属膜(20)，具有设置在基材(10)的第一面(10a)上的凸部(21)及凸部(22)；凸部(21)的顶部(21a)的高度是金属膜(20)的表面高度分布中与基材(10)的距离最大的峰的高度，凸部(22)的顶部(22a)的高度是金属膜(20)的表面高度分布中与基材(10)的距离第二大的峰的高度，凸部(21)及凸部(22)的除槽区域(H3)以外的部分的宽度的平均值为200nm以下，所述槽区域(H3)是与基材(10)的距离最小的峰的高度。

公开(公告)号：CN104584243B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201380043898.4

申请日：2013-08-21

Applicant: 王子控股株式会社

Inventor： 八田嘉久 ,  篠塚启 ,  大纮太郎 ,  梶田康仁

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。

公开(公告)号：CN108029174A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680051921.8

申请日：2016-08-17

Applicant: 王子控股株式会社

Inventor： 本乡弘毅 ,  篠塚启

IPC: H05B33/10 ,  B29C33/42 ,  B29C59/02 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 本发明的模具在主面具有平坦面及多个凸部，所述多个凸部的平均间距为50nm～5μm，所述多个凸部的平均纵横比为0.01～1，所述多个凸部中80％以上具有特定的弯曲面，所述特定的弯曲面在将所述特定的弯曲面的任意的点设为第1点，将自所述第1点仅偏离所述平均间距的1/10的点设为第2点时，与所述第2点相接的第2切平面相对于与所述第1点相接的第1切平面的倾斜角为60°以内。

公开(公告)号：CN103460797A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201180063944.8

申请日：2011-11-02

Applicant: 王子控股株式会社

Inventor： 篠塚启 ,  冈本隆之

IPC: H05B33/02 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L51/5268 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及有机发光二极管及其制造方法，该有机发光二极管的特征在于，至少依次层叠有阳极导电层、具有含有有机发光材料的发光层的有机EL层、和由Ag或Ag的含有率为70质量%以上的合金或者由Al或Al的含有率为70质量%以上的合金形成的阴极导电层，在前述阴极导电层的前述有机EL层侧的表面设置有多个凹部周期性地二维排列而成的二维点阵结构、或者设置有多个凸部周期性地二维排列而成的二维点阵结构，源自有机发光二极管的光的提取波长(nm)与前述二维点阵结构中的前述凹部或前述凸部的中心间的距离p(nm)在表示它们的关系的图中处于用特定的座标(例如A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、A等)依次连接而成的直线包围的区域内，并且前述凹部的深度或前述凸部的高度为12nm以上且180nm以下。根据本发明，可以提供光提取效率优异的有机发光二极管及其制造方法、具备前述有机发光二极管的图像显示装置和照明装置。