半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN117015842A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202280018387.6

    申请日:2022-01-19

    Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带,其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带,其中,在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下,以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的粘附能为0.220J/m2以下。

    半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN117015843A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202280018389.5

    申请日:2022-01-19

    Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带,其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带,其中,在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下,以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的表面弹性模量为5MPa以上。

    半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN116941017A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202280017571.9

    申请日:2022-01-19

    Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带,其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带,其中,在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下,以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对所述粘着胶带照射紫外线,在23℃、50%RH下将PMMA板以用2kg辊往返一次的条件贴附于该粘着剂层的暴露面并放置30分钟之后,对该粘着胶带进行180°剥离时的剥离强度为1600mN/25mm以下。

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