公开(公告)号：CN111952281B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202010792984.7

申请日：2013-11-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  三浦幸男 ,  土屋秀昭

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/265 ,  H01L21/263 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件具有：层间绝缘膜(INS2)；在层间绝缘膜(INS2)内形成的相邻的Cu配线(M1W)；以及与层间绝缘膜(INS2)的表面和Cu配线(M1W)的表面接触、且将层间绝缘膜(INS2)和Cu配线(M1W)覆盖的绝缘性阻挡膜(BR1)。而且，在相邻的Cu配线(M1W)之间，层间绝缘膜(INS2)在其表面具有损伤层(DM1)，在比损伤层(DM1)深的位置具有电场缓和层(ER1)，该电场缓和层(ER1)具有比损伤层(DM1)的氮浓度高的氮浓度。

公开(公告)号：CN104919576B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201380011034.4

申请日：2013-11-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  三浦幸男 ,  土屋秀昭

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其具有：层间绝缘膜(INS2)；在层间绝缘膜(INS2)内形成的相邻的Cu配线(M1W)；以及与层间绝缘膜(INS2)的表面和Cu配线(M1W)的表面接触、且将层间绝缘膜(INS2)和Cu配线(M1W)覆盖的绝缘性阻挡膜(BR1)。而且，在相邻的Cu配线(M1W)之间，层间绝缘膜(INS2)在其表面具有损伤层(DM1)，在比损伤层(DM1)深的位置具有电场缓和层(ER1)，该电场缓和层(ER1)具有比损伤层(DM1)的氮浓度高的氮浓度。

公开(公告)号：CN111952281A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010792984.7

申请日：2013-11-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  三浦幸男 ,  土屋秀昭

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/265 ,  H01L21/263 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件具有：层间绝缘膜(INS2)；在层间绝缘膜(INS2)内形成的相邻的Cu配线(M1W)；以及与层间绝缘膜(INS2)的表面和Cu配线(M1W)的表面接触、且将层间绝缘膜(INS2)和Cu配线(M1W)覆盖的绝缘性阻挡膜(BR1)。而且，在相邻的Cu配线(M1W)之间，层间绝缘膜(INS2)在其表面具有损伤层(DM1)，在比损伤层(DM1)深的位置具有电场缓和层(ER1)，该电场缓和层(ER1)具有比损伤层(DM1)的氮浓度高的氮浓度。

公开(公告)号：CN104919576A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201380011034.4

申请日：2013-11-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  三浦幸男 ,  土屋秀昭

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其具有：层间绝缘膜(INS2)；在层间绝缘膜(INS2)内形成的相邻的Cu配线(M1W)；以及与层间绝缘膜(INS2)的表面和Cu配线(M1W)的表面接触、且将层间绝缘膜(INS2)和Cu配线(M1W)覆盖的绝缘性阻挡膜(BR1)。而且，在相邻的Cu配线(M1W)之间，层间绝缘膜(INS2)在其表面具有损伤层(DM1)，在比损伤层(DM1)深的位置具有电场缓和层(ER1)，该电场缓和层(ER1)具有比损伤层(DM1)的氮浓度高的氮浓度。