公开(公告)号：CN103325819A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310053001.8

申请日：2013-02-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  中村朝至 ,  藤本直树

IPC: H01L29/40 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/563 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：含有Si、O、C和H的层间绝缘膜；设置在所述层间绝缘膜上的且含有Ni的凸块下金属膜；以及设置在所述凸块下金属膜之上的凸块电极。在所述层间绝缘膜中，波数1270cm-1附近的Si-CH3的峰高与波数1030cm-1附近的Si-O的峰高的比值为大于等于0.15且小于等于0.27。波数1360cm-1附近的Si-CH2-Si的峰高与波数1270cm-1附近的Si-CH3的峰高的比值大于等于0.031，所述比值通过傅里叶变换红外光谱FTIR获得。

公开(公告)号：CN103325819B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201310053001.8

申请日：2013-02-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  中村朝至 ,  藤本直树

IPC: H01L29/40 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/563 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：含有Si、O、C和H的层间绝缘膜；设置在所述层间绝缘膜上的且含有Ni的凸块下金属膜；以及设置在所述凸块下金属膜之上的凸块电极。在所述层间绝缘膜中，波数1270cm‑1附近的Si‑CH3的峰高与波数1030cm‑1附近的Si‑O的峰高的比值为大于等于0.15且小于等于0.27。波数1360cm‑1附近的Si‑CH2‑Si的峰高与波数1270cm‑1附近的Si‑CH3的峰高的比值大于等于0.031，所述比值通过傅里叶变换红外光谱FTIR获得。