公开(公告)号：CN105374877B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201510493423.6

申请日：2015-08-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安孙子雄哉 ,  市村昭雄 ,  五十岚俊昭 ,  白井康裕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，使半导体器件(纵型的功率MOSFET)的特性提高。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)中设置具有角部的螺旋状的p型柱区域(PC3)。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)的外延层上形成将单元区域(CR)螺旋状地包围、且具有构成角部的第1侧面和第2侧面的沟槽，在该沟槽埋入外延层。像这样，通过将p型柱区域(PC3)(n型柱区域)螺旋状地配置，而能够避免基于过热点的耐压裕度的降低。另外，由于维持了p型柱区域(PC3)(n型柱区域)的连续性，所以电场朝向外周部被阶段地缓和，耐压得以提高。

公开(公告)号：CN116666451A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310020548.1

申请日：2023-01-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚俊昭 ,  中西翔 ,  宇野友彰 ,  柳井幸志郎 ,  村山昌也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417

Abstract: 本公开的各实施例涉及一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。在构成半导体器件的半导体衬底的主表面上形成绝缘膜，以覆盖场板部分，在该绝缘膜上形成比所述场板部分厚的金属图案，在该绝缘膜上形成保护膜，以覆盖所述金属图案。该场板部分由一个或多个氮化硅膜和一个或多个的氧化硅膜的堆叠膜组成。

公开(公告)号：CN105374877A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510493423.6

申请日：2015-08-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安孙子雄哉 ,  市村昭雄 ,  五十岚俊昭 ,  白井康裕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，使半导体器件(纵型的功率MOSFET)的特性提高。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)中设置具有角部的螺旋状的p型柱区域(PC3)。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)的外延层上形成将单元区域(CR)螺旋状地包围、且具有构成角部的第1侧面和第2侧面的沟槽，在该沟槽埋入外延层。像这样，通过将p型柱区域(PC3)(n型柱区域)螺旋状地配置，而能够避免基于过热点的耐压裕度的降低。另外，由于维持了p型柱区域(PC3)(n型柱区域)的连续性，所以电场朝向外周部被阶段地缓和，耐压得以提高。

公开(公告)号：CN101752787B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200910225790.2

申请日：2009-12-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚俊昭

IPC: H01S5/06

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1078 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明涉及激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管具有在沿着光波导的区域中设置的多个结构，所述多个结构中的每个结构具有散射、吸收或反射杂散光的功能，其中，在通过在所述光波导的纵向方向上将沿着所述光波导的区域等分成三个或更多的部分所获得的每个分割区域中，形成所述结构中的至少一个。

公开(公告)号：CN205081123U

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201520606029.4

申请日：2015-08-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安孙子雄哉 ,  市村昭雄 ,  五十岚俊昭 ,  白井康裕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，使半导体器件(纵型的功率MOSFET)的特性提高。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)中设置具有角部的螺旋状的p型柱区域(PC3)。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)的外延层上形成将单元区域(CR)螺旋状地包围、且具有构成角部的第1侧面和第2侧面的沟槽，在该沟槽埋入外延层。像这样，通过将p型柱区域(PC3)(n型柱区域)螺旋状地配置，而能够避免基于过热点的耐压裕度的降低。另外，由于维持了p型柱区域(PC3)(n型柱区域)的连续性，所以电场朝向外周部被阶段地缓和，耐压得以提高。