公开(公告)号：CN101419957B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200810172920.6

申请日：2008-10-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 岩田靖昭 ,  佐佐木千寻

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/36 ,  H01L25/00 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/4985 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/0281 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/10681 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。通过仅由布线连接到常规半导体芯片的热量排放，在新近的半导体器件中可能不能获得足够的热量排放性能。根据本发明的一方面的半导体器件包括：柔性衬底，包括第一主表面和第二主表面；半导体芯片；第一导热层，形成柔性衬底的第一主表面上并电连接到半导体芯片；和第二导热层，形成在柔性衬底的第二主表面上并与半导体芯片电绝缘。