公开(公告)号：CN103515221A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310246489.6

申请日：2013-06-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 铃村直仁 ,  冈好浩

IPC: H01L21/31 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/05 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。通过改善作为半导体器件的特征的EM特征、TDDB特征、以及耐压，改善该半导体器件的可靠性。使得下层绝缘层中的第一空孔的平均直径小于上层绝缘层中的第二空孔的平均直径，由此增加了所述下层绝缘层中的弹性模数，所述下层绝缘层配置多孔低介电常数膜的层间绝缘膜，用于在其中嵌入布线。此外，侧壁绝缘层形成在层间绝缘膜的暴露于布线槽的侧壁的表面上，所述侧壁绝缘层是包括具有小于所述第二空孔的平均直径的第一空孔的致密层。

公开(公告)号：CN103515221B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201310246489.6

申请日：2013-06-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 铃村直仁 ,  冈好浩

IPC: H01L21/31 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/05 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。通过改善作为半导体器件的特征的EM特征、TDDB特征、以及耐压，改善该半导体器件的可靠性。使得下层绝缘层中的第一空孔的平均直径小于上层绝缘层中的第二空孔的平均直径，由此增加了所述下层绝缘层中的弹性模数，所述下层绝缘层配置多孔低介电常数膜的层间绝缘膜，用于在其中嵌入布线。此外，侧壁绝缘层形成在层间绝缘膜的暴露于布线槽的侧壁的表面上，所述侧壁绝缘层是包括具有小于所述第二空孔的平均直径的第一空孔的致密层。