公开(公告)号：CN103000612B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201210342117.9

申请日：2012-09-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  北岛洋

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。第一布线设置在半导体衬底上。第一通路设置在第一布线上。此外，第一通路的底表面与第一布线接触。第一绝缘层设置在半导体衬底上并且至少与第一布线的顶表面和第一通路的侧表面接触。第一布线和第一通路的每个侧表面的至少一部分切断各金属晶粒。

公开(公告)号：CN103000612A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210342117.9

申请日：2012-09-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  北岛洋

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。第一布线设置在半导体衬底上。第一通路设置在第一布线上。此外，第一通路的底表面与第一布线接触。第一绝缘层设置在半导体衬底上并且至少与第一布线的顶表面和第一通路的侧表面接触。第一布线和第一通路的每个侧表面的至少一部分切断各金属晶粒。