公开(公告)号：CN101944549A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010194262.8

申请日：2010-05-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 渡边功 ,  厚井大明

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1844 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供一种台面型光电二极管及其制造方法。该台面光电二极管包括台面，台面的侧壁是在台面底部变宽的方向上倾斜的表面。用第一导电类型、第二导电类型、半绝缘型或未掺杂型的半导体层覆盖台面的至少侧壁。在台面的至少侧壁上生长半导体层。台面在上端部处的倾斜表面的倾斜角小于台面在下端部处的倾斜表面的倾斜角。

公开(公告)号：CN101989630A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN201010220526.2

申请日：2010-06-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 厚井大明 ,  渡边功 ,  松本卓

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明提供了一种台面光电二极管及其制造方法。一种台面光电二极管，其包括台面，台面(光接收区台面)的侧壁和台面的上表面中的至少台面的肩部部分被生长在台面的侧壁和上表面上的第一导电型、第二导电型、半绝缘型或者未掺杂型的半导体层(例如，未掺杂的InP层)连续覆盖。在半导体层中，覆盖台面的侧壁的部分的层厚度D1等于或者大于850nm。

公开(公告)号：CN101944549B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201010194262.8

申请日：2010-05-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 渡边功 ,  厚井大明

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1844 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供一种台面型光电二极管及其制造方法。该台面光电二极管包括台面，台面的侧壁是在台面底部变宽的方向上倾斜的表面。用第一导电类型、第二导电类型、半绝缘型或未掺杂型的半导体层覆盖台面的至少侧壁。在台面的至少侧壁上生长半导体层。台面在上端部处的倾斜表面的倾斜角小于台面在下端部处的倾斜表面的倾斜角。