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公开(公告)号：CN115831870A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210991143.8
申请日：2022-08-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/66 , H01L27/06 , H01L23/544
Abstract: 本公开涉及用于半导体器件的制造方法以及半导体晶圆。提供了一种制造能够检测Hi‑K消失的发生的半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：制造测试图案的步骤，该测试图案包括参考电阻以及栅极泄漏电流流动通过其中的栅极泄漏电阻，并且栅极泄漏电阻与参考电阻串联连接；以及测量由栅极泄漏电流的流动引起的、参考电阻与栅极泄漏电阻之间的连接节点处的电压变化的步骤。
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