公开(公告)号：CN103165677A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210541065.8

申请日：2012-12-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤孝由

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0617 ,  H01L29/866

Abstract: 一种半导体装置，能够获取更大的能够配置栅极焊盘的区域。半导体装置包括：晶体管，具有栅极电极、第1电极和第2电极；以及第1及第2保护电路，一端共同与栅极电极连接，另一端分别与第1电极及第2电极连接，第1及第2保护电路分别构成于在一个场绝缘膜上分离形成的第1及第2多晶硅层内。

公开(公告)号：CN103165677B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201210541065.8

申请日：2012-12-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤孝由

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0617 ,  H01L29/866

Abstract: 一种半导体装置，能够获取更大的能够配置栅极焊盘的区域。半导体装置包括：晶体管，具有栅极电极、第1电极和第2电极；以及第1及第2保护电路，一端共同与栅极电极连接，另一端分别与第1电极及第2电极连接，第1及第2保护电路分别构成于在一个场绝缘膜上分离形成的第1及第2多晶硅层内。

公开(公告)号：CN203103306U

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201220688640.2

申请日：2012-12-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤孝由

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0617 ,  H01L29/866

Abstract: 一种半导体装置，能够获取更大的能够配置栅极焊盘的区域。半导体装置包括：晶体管，具有栅极电极、第1电极和第2电极；以及第1及第2保护电路，一端共同与栅极电极连接，另一端分别与第1电极及第2电极连接，第1及第2保护电路分别构成于在一个场绝缘膜上分离形成的第1及第2多晶硅层内。

公开(公告)号：CN203377216U

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201320417067.6

申请日：2012-12-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤孝由

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0617 ,  H01L29/866

Abstract: 一种半导体装置，能够获取更大的能够配置栅极焊盘的区域。半导体装置包括：晶体管，具有栅极电极、第1电极和第2电极；以及第1及第2保护电路，一端共同与栅极电极连接，另一端分别与第1电极及第2电极连接，第1及第2保护电路分别构成于在一个场绝缘膜上分离形成的第1及第2多晶硅层内。