公开(公告)号：CN102651396B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210048173.1

申请日：2012-02-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤裕二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种半导体器件，其包含场效应晶体管，该场效应晶体管具有：经受晶格弛豫的缓冲层、沟道层和电子供应层，以此顺序以与[0001]或[000-1]晶轴平行的生长模式按顺序使用III族氮化物半导体分别形成在衬底上；并且具有源电极和漏电极，它们与沟道层电耦合；以及形成在电子供应层上的栅电极，其中，在缓冲层和电子供应层中，存在于沟道层的III族原子平面侧上的层具有比存在于沟道层的V族原子平面侧上的层大的A轴长度；并且电子供应层具有比沟道层大的带隙。

公开(公告)号：CN102651396A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210048173.1

申请日：2012-02-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤裕二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种半导体器件，其包含场效应晶体管，该场效应晶体管具有：经受晶格弛豫的缓冲层、沟道层和电子供应层，以此顺序以与[0001]或[000-1]晶轴平行的生长模式按顺序使用III族氮化物半导体分别形成在衬底上；并且具有源电极和漏电极，它们与沟道层电耦合；以及形成在电子供应层上的栅电极，其中，在缓冲层和电子供应层中，存在于沟道层的III族原子平面侧上的层具有比存在于沟道层的V族原子平面侧上的层大的A轴长度；并且电子供应层具有比沟道层大的带隙。

公开(公告)号：CN102246283B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200980150271.2

申请日：2009-10-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  大田一树

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/205 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003

Abstract: 一种双极晶体管，包括衬底、集电极层、具有p导电型的基极层和具有n导电型的发射极层。所述集电极层形成在所述衬底上，并且包括第一氮化物半导体。具有p导电型的基极层形成在集电极层上，并且包括第二氮化物半导体。具有n导电型的发射极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底的表面的晶体生长方向与衬底的[0001]方向平行。第一氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN，其中0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1。在第一氮化物半导体中，在表面侧上的a轴的长度比在衬底侧上的a轴的长度长。

公开(公告)号：CN104465745A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410493659.5

申请日：2014-09-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤裕二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。改进了高电子迁移率晶体管的特性。平行于[0001]晶轴方向在Ga平面之上以生长模式形成具有n型接触层(n型AlGaN层)、电子供应层(未掺杂AlGaN层)沟道层(未掺杂GaN层)的层叠体。然后，在将该层叠体翻转使得n型接触层(n型AlGaN层)处于上表面的位置并且形成沟槽之后，经由栅绝缘膜形成栅电极。通过在[000-1]方向上接连层叠体沟道层(未掺杂GaN层)和电子供应层(未掺杂AlGaN层)，(1)常关操作和(2)增大耐压可容易地彼此兼顾。

公开(公告)号：CN102246284B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200980150272.7

申请日：2009-10-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  大田一树

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/205 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66318

Abstract: 一种双极晶体管，具有发射极层、基极层和集电极层。发射极层形成在衬底上，并且是包括第一氮化物半导体的n型导电层。基极层形成在发射极层上，并且是包括第二氮化物半导体的p型导电层。集电极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底表面的晶体生长方向与[000-1]的衬底方向平行。第三氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN(0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1)。第三氮化物半导体的在表面侧上的a轴长度比在衬底侧上的a轴长度短。

公开(公告)号：CN103383960A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310158513.0

申请日：2013-05-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  大田一树

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在高电子移动度晶体管中，能够在维持着常关动作的情况下充分降低接通电阻，由此，能够实现包含高电子移动度晶体管的半导体装置的性能提升。在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)之间，设置带隙比电子供给层(ES1)的带隙大的隔离层(SP1)。由此，因隔离层(SP1)的带隙较大而在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)的界面附近形成高势垒(电子势垒)。

公开(公告)号：CN103972284B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201410042887.0

申请日：2014-01-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 大田一树 ,  安藤裕二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。包括具有沟道层、电子供应层、源电极和漏电极的高电子迁移率晶体管，使得具有：帽层，其形成于在源电极和漏电极之间的电子供应层上，并且具有倾斜的侧表面；绝缘膜，其在帽层的上表面上具有开口部，并且覆盖其侧表面；以及，栅电极，其形成在开口部中，并且经由绝缘膜在漏电极侧的帽层的侧表面上面延伸。在漏电极侧具有突出部的栅电极可以减小峰值电场。

公开(公告)号：CN103972284A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410042887.0

申请日：2014-01-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 大田一树 ,  安藤裕二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/1029 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。包括具有沟道层、电子供应层、源电极和漏电极的高电子迁移率晶体管，使得具有：帽层，其形成于在源电极和漏电极之间的电子供应层上，并且具有倾斜的侧表面；绝缘膜，其在帽层的上表面上具有开口部，并且覆盖其侧表面；以及，栅电极，其形成在开口部中，并且经由绝缘膜在漏电极侧的帽层的侧表面上面延伸。在漏电极侧具有突出部的栅电极可以减小峰值电场。

公开(公告)号：CN203312300U

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201320232332.3

申请日：2013-05-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  大田一树

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。在高电子移动度晶体管中，能够在维持着常关动作的情况下充分降低接通电阻，由此，能够实现包含高电子移动度晶体管的半导体装置的性能提升。在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)之间，设置带隙比电子供给层(ES1)的带隙大的隔离层(SP1)。由此，因隔离层(SP1)的带隙较大而在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)的界面附近形成高势垒(电子势垒)。