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公开(公告)号：CN108987394A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810532000.4
申请日：2018-05-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/085
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，提高了半导体器件的可靠性。用于耦合位于半导体区的角部处的场板和场限制环的接触沟槽由相对于晶体取向 线性对称布置的第一直线部和第二直线部构成。第一直线部和第二直线部的相应的一端在晶体取向 处耦合，并且第一直线部和第二直线部被设置为在与晶体取向 和晶体取向 不同的方向上延伸。
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