公开(公告)号：CN102339804B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110204593.X

申请日：2011-07-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 村上智博 ,  加藤隆彦 ,  中村真人 ,  寺崎健

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/04 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件在外部镀膜中具有改善的抗晶须性。该半导体器件包括半导体芯片固定于其上的薄片、多个内引线、与内引线一体形成的多个外引线、用于将半导体芯片的电极焊盘与内引线彼此耦合的多个接线以及用于密封半导体芯片的密封体。外引线从密封体突出并且在每个外引线的表面上形成作为无铅镀膜的外部镀膜。在外部镀膜中，直径不大于1μm且在外部镀膜的厚度方向中的界面侧上存在的晶粒数目比不大于1μm且在外部镀膜的表面侧上存在的晶粒数目大，由此使得外部镀膜和外引线之间的线性膨胀系数之差较小，从而使得可以抑制晶须的生长。

公开(公告)号：CN101908515A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010198590.5

申请日：2010-06-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 村上智博

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/89 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制备方法。实现在对无铅镀层上方的晶须形成的抵制的提高。半导体器件具有将半导体芯片固定于其上的接片、多条内部引线、一体地随同内部引线形成的多条外部引线、耦合半导体芯片的电极焊盘到内部引线的多条接线，以及将半导体芯片模制于其中的模制体。包括无铅镀层的外部镀层形成于从模制体突出的每条外部引线的表面上方。外部镀层具有在期望的条件之下形成的第一无铅镀层，以及具有与第一无铅镀层的构成相同的系统构成的第二无铅镀层。第一无铅镀成与第二无铅镀层是层叠的。在不同的镀覆条件下形成的两种类型的无铅镀层在每条外部引线上方层叠。

公开(公告)号：CN102339804A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110204593.X

申请日：2011-07-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 村上智博 ,  加藤隆彦 ,  中村真人 ,  寺崎健

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/04 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件在外部镀膜中具有改善的抗晶须性。该半导体器件包括半导体芯片固定于其上的薄片、多个内引线、与内引线一体形成的多个外引线、用于将半导体芯片的电极焊盘与内引线彼此耦合的多个接线以及用于密封半导体芯片的密封体。外引线从密封体突出并且在每个外引线的表面上形成作为无铅镀膜的外部镀膜。在外部镀膜中，直径不大于1μm且在外部镀膜的厚度方向中的界面侧上存在的晶粒数目比不大于1μm且在外部镀膜的表面侧上存在的晶粒数目大，由此使得外部镀膜和外引线之间的线性膨胀系数之差较小，从而使得可以抑制晶须的生长。