公开(公告)号：CN109994542B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201811603587.X

申请日：2018-12-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 林伦弘

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。在包括FINFET的分栅MONOS存储器中，防止了由于鳍部的上端处的电场集中而在未选择单元中发生错误写入，并且因此提高了半导体器件的可靠性。在鳍部的上表面与存储单元区域中的控制栅电极和存储栅电极中的每个栅电极之间形成绝缘膜，使得在控制晶体管和存储器晶体管中的每个晶体管的栅极绝缘膜中，鳍部上的部分的厚度大于覆盖鳍部的侧表面的部分的厚度。在其端部处具有鸟喙的绝缘膜被形成为倒圆鳍部的角部。

公开(公告)号：CN105226064A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510368628.1

申请日：2015-06-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 大形公士 ,  川嶋祥之 ,  茶木原启 ,  林伦弘

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/511 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/792

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种具有提高的可靠性的半导体器件。在根据一个实施例的半导体器件中，沿X方向延伸的元件隔离区域具有交叉区域，该交叉区域与沿Y方向延伸的存储器栅极电极在平面图中交叉，Y方向与X方向以直角相交。在这种情况下，在交叉区域中，靠近源极区域的一个边沿侧的在Y方向上的宽度大于靠近控制栅极电极的另一边沿侧的在Y方向上的宽度。

公开(公告)号：CN105226064B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201510368628.1

申请日：2015-06-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 大形公士 ,  川嶋祥之 ,  茶木原启 ,  林伦弘

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11517 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/08 ,  H01L29/792 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/511 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/792

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种具有提高的可靠性的半导体器件。在根据一个实施例的半导体器件中，沿X方向延伸的元件隔离区域具有交叉区域，该交叉区域与沿Y方向延伸的存储器栅极电极在平面图中交叉，Y方向与X方向以直角相交。在这种情况下，在交叉区域中，靠近源极区域的一个边沿侧的在Y方向上的宽度大于靠近控制栅极电极的另一边沿侧的在Y方向上的宽度。

公开(公告)号：CN109994542A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811603587.X

申请日：2018-12-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 林伦弘

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。在包括FINFET的分栅MONOS存储器中，防止了由于鳍部的上端处的电场集中而在未选择单元中发生错误写入，并且因此提高了半导体器件的可靠性。在鳍部的上表面与存储单元区域中的控制栅电极和存储栅电极中的每个栅电极之间形成绝缘膜，使得在控制晶体管和存储器晶体管中的每个晶体管的栅极绝缘膜中，鳍部上的部分的厚度大于覆盖鳍部的侧表面的部分的厚度。在其端部处具有鸟喙的绝缘膜被形成为倒圆鳍部的角部。