公开(公告)号：CN104600046B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201410594450.8

申请日：2014-10-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁 ,  新家东 ,  神田良 ,  栗原智敦 ,  户田铁

IPC: H01L23/495

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底、第一电路区域、分隔区域、第二电路区域和整流元件。整流元件具有：第二导电类型层、第一高浓度第二导电类型区域、第二高浓度第二导电类型区域、元件隔离膜、第一绝缘层和第一导电膜。第一接触耦合至第一高浓度第二导电类型区域，而第二接触耦合至第二高浓度第二导电类型区域。第三接触耦合至第一导电膜。第一接触、第二接触和第三接触彼此分隔开。

公开(公告)号：CN105391440B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201510526881.5

申请日：2015-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  户田铁 ,  中村纯一 ,  梅津和之 ,  栗原智敦 ,  永津贵大 ,  中原宁 ,  嘉屋旨哲

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/0175

Abstract: 本发明涉及半导体装置、功率控制装置和电子系统。为了降低包括诸如驱动器IC的半导体装置的功率控制装置以及电子系统的成本等，所述驱动器IC包括高侧驱动器、电平移位电路、第一和第二晶体管、以及比较器电路。所述第一晶体管形成在终止区中。所述第二晶体管形成在所述终止区中并由第一电源电压驱动。所述比较器电路形成在所述第一区中以在感测节点的电压低于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管导通，而在所述感测节点的电压高于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管关断。所述第二晶体管是耗尽型晶体管。

公开(公告)号：CN105391440A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510526881.5

申请日：2015-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  户田铁 ,  中村纯一 ,  梅津和之 ,  栗原智敦 ,  永津贵大 ,  中原宁 ,  嘉屋旨哲

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/0175

Abstract: 本发明涉及半导体装置、功率控制装置和电子系统。为了降低包括诸如驱动器IC的半导体装置的功率控制装置以及电子系统的成本等，所述驱动器IC包括高侧驱动器、电平移位电路、第一和第二晶体管、以及比较器电路。所述第一晶体管形成在终止区中。所述第二晶体管形成在所述终止区中并由第一电源电压驱动。所述比较器电路形成在所述第一区中以在感测节点的电压低于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管导通，而在所述感测节点的电压高于所述第一电源电压时驱动所述第一晶体管关断。所述第二晶体管是耗尽型晶体管。

公开(公告)号：CN104600046A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410594450.8

申请日：2014-10-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 嘉屋旨哲 ,  中原宁 ,  新家东 ,  神田良 ,  栗原智敦 ,  户田铁

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H02M1/088 ,  H01L27/0285 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7838 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底、第一电路区域、分隔区域、第二电路区域和整流元件。整流元件具有：第二导电类型层、第一高浓度第二导电类型区域、第二高浓度第二导电类型区域、元件隔离膜、第一绝缘层和第一导电膜。第一接触耦合至第一高浓度第二导电类型区域，而第二接触耦合至第二高浓度第二导电类型区域。第三接触耦合至第一导电膜。第一接触、第二接触和第三接触彼此分隔开。