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公开(公告)号:CN109428569B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN201810980802.1
申请日:2018-08-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 需要提供一种能够精确地监视用于监视目标电路的最小操作电压的半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法。根据一个实施例的半导体系统的监视器部分包括电压监视器和延迟监视器。电压监视器由与供给到作为监视目标电路的内部电路的电源电压VDD不同的电源电压SVCC驱动,并监视电源电压VDD。延迟监视器由电源电压VDD驱动,并监视内部电路中关键路径的信号传播时间。延迟监视器被配置为使得配置延迟监视器的多个晶体管的导通电阻中的最大导通电阻小于配置内部电路的多个晶体管的导通电阻中的最大导通电阻。
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公开(公告)号:CN107888172B
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN201710852792.9
申请日:2017-09-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/22 , H03K3/011 , H03K3/03 , G01R19/165
Abstract: 本公开涉及半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。本发明的一个目的在于提供能够准确地监测要监测的电路的最低操作电压的半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。根据一个实施例,半导体系统的监测器单元包括:电压监测器,该电压监测器由与供应给作为要监测的电路的内部电路的第一电源电压不同的第二电源电压驱动,并监测第一电源电压;以及延迟监测器,该延迟监测器由第一电源电压驱动,并监测内部电路中的关键路径的信号传播时间段。
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公开(公告)号:CN109428569A
公开(公告)日:2019-03-05
申请号:CN201810980802.1
申请日:2018-08-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 需要提供一种能够精确地监视用于监视目标电路的最小操作电压的半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法。根据一个实施例的半导体系统的监视器部分包括电压监视器和延迟监视器。电压监视器由与供给到作为监视目标电路的内部电路的电源电压VDD不同的电源电压SVCC驱动,并监视电源电压VDD。延迟监视器由电源电压VDD驱动,并监视内部电路中关键路径的信号传播时间。延迟监视器被配置为使得配置延迟监视器的多个晶体管的导通电阻中的最大导通电阻小于配置内部电路的多个晶体管的导通电阻中的最大导通电阻。
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公开(公告)号:CN106547637B
公开(公告)日:2021-07-02
申请号:CN201610708757.5
申请日:2016-08-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了可跟随在快速负载波动时出现的诸如大压降的快速电压改变的半导体器件。该半导体器件包括:电压传感器,其以比假设的电源电压波动的频率高的取样速度来监测电源电压并且输出电压代码值;压降确定电路,其从所述电压代码值来确定出现致使系统故障的压降,并且输出时钟停止信号;以及时钟控制电路,其控制时钟停止、重启和频率改变。
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公开(公告)号:CN107888172A
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201710852792.9
申请日:2017-09-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/22 , H03K3/011 , H03K3/03 , G01R19/165
CPC classification number: G01R19/16552 , G01R31/2851 , G01R31/31703 , G01R31/3177 , G01R31/318328 , G01R31/31932 , G01R31/31937 , G06F1/24 , G06F1/28 , H03K3/0315 , H03K5/133 , H03K17/22 , G01R19/16576 , H03K3/011 , H03K2217/0027
Abstract: 本公开涉及半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。本发明的一个目的在于提供能够准确地监测要监测的电路的最低操作电压的半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。根据一个实施例,半导体系统的监测器单元包括:电压监测器,该电压监测器由与供应给作为要监测的电路的内部电路的第一电源电压不同的第二电源电压驱动,并监测第一电源电压;以及延迟监测器,该延迟监测器由第一电源电压驱动,并监测内部电路中的关键路径的信号传播时间段。
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公开(公告)号:CN106547637A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610708757.5
申请日:2016-08-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G06F1/305 , G06F1/10 , G06F1/32 , G06F1/3237
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了可跟随在快速负载波动时出现的诸如大压降的快速电压改变的半导体器件。该半导体器件包括:电压传感器,其以比假设的电源电压波动的频率高的取样速度来监测电源电压并且输出电压代码值;压降确定电路,其从所述电压代码值来确定出现致使系统故障的压降,并且输出时钟停止信号;以及时钟控制电路,其控制时钟停止、重启和频率改变。
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