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公开(公告)号：CN115881724A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211176920.X
申请日：2022-09-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件和制造该器件的方法。一种半导体器件包括：半导体衬底，具有第一主表面和第二主表面；多个层间绝缘膜，在从第二主表面朝向所述第一主表面的厚度方向上层叠并且布置在第一主表面上；顶部布线，布置在多个层间绝缘膜中的顶部层间绝缘膜上，顶部层间绝缘膜设置为在所述厚度方向上距所述第一主表面最远；钝化膜，布置在顶部层间绝缘膜上，以覆盖所述顶部布线。顶部布线包括第一布线部分和第二布线部分，第一布线部分和第二布线部分在平面图中沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此相邻，该第二方向与所述第一方向正交。顶部布线的上表面与顶部层间绝缘膜之间在所述厚度方向上的距离被定义为第一距离，第一距离为2.7μm或更大。
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