公开(公告)号：CN103165557B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201210480610.7

申请日：2012-11-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金本光一

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/564 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在使管芯焊盘(8d)的下表面(8db)从密封体(4)的下表面(4b)露出的芯片层叠结构的QFP(6)中，将半导体芯片(2)搭载于远离管芯焊盘(8d)的位置(第二层)，其中在半导体芯片(2)的表面形成有由在骨架中至少含有苯并环丁烯作为有机单体的高分子构成的BCB膜，由此即使水分从管芯焊盘(8d)和密封体(4)的界面浸入，也能够延长水分到达该半导体芯片(2)的时间，使吸湿不良的发生变困难。根据本发明，能够抑制半导体装置的可靠性的降低。

公开(公告)号：CN103165557A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210480610.7

申请日：2012-11-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金本光一

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/564 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在使管芯焊盘(8d)的下表面(8db)从密封体(4)的下表面(4b)露出的芯片层叠结构的QFP(6)中，将半导体芯片(2)搭载于远离管芯焊盘(8d)的位置(第二层)，其中在半导体芯片(2)的表面形成有由在骨架中至少含有苯并环丁烯作为有机单体的高分子构成的BCB膜，由此即使水分从管芯焊盘(8d)和密封体(4)的界面浸入，也能够延长水分到达该半导体芯片(2)的时间，使吸湿不良的发生变困难。根据本发明，能够抑制半导体装置的可靠性的降低。

公开(公告)号：CN104143518A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410199214.6

申请日：2014-05-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金本光一

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/12 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L22/34 ,  H01L23/49 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/544 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法以及半导体器件，改善了半导体器件的可靠性。该制造半导体器件的方法包括在管芯焊盘的芯片安装表面上面布置彼此邻近的多个半导体芯片的步骤。而且，制造半导体器件的方法包括经由导线电耦合半导体芯片和半导体芯片的步骤。在这点上，在耦合导线的步骤中在第二结合侧上提供半导体芯片的焊盘，即芯片对芯片连接焊盘，使得其位于远离半导体芯片的表面的周边部分。

公开(公告)号：CN202996821U

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201220627506.1

申请日：2012-11-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金本光一

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/564 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。在使管芯焊盘(8d)的下表面(8db)从密封体(4)的下表面(4b)露出的芯片层叠结构的QFP(6)中，将半导体芯片(2)搭载于远离管芯焊盘(8d)的位置(第二层)，其中在半导体芯片(2)的表面形成有由在骨架中至少含有苯并环丁烯作为有机单体的高分子构成的BCB膜，由此即使水分从管芯焊盘(8d)和密封体(4)的界面浸入，也能够延长水分到达该半导体芯片(2)的时间，使吸湿不良的发生变困难。根据本实用新型，能够抑制半导体装置的可靠性的降低。