公开(公告)号：CN101894863A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010178281.1

申请日：2010-05-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹中功 ,  麻埜和则 ,  石仓幸治

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/16 ,  H01L29/10 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F3/195 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7786 ,  H03F1/56 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管。根据本发明的场效应晶体管包括：硅衬底，该硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，该沟道层被形成在硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，该阻挡层被形成在沟道层上并且给沟道层提供电子；二维电子气层，通过沟道层和阻挡层之间的异质结形成该二维电子气层；源电极和漏电极，该源电极和漏电极均与阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，该栅电极被形成在源电极和漏电极之间，并且与阻挡层形成肖特基势垒结。

公开(公告)号：CN101894863B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201010178281.1

申请日：2010-05-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹中功 ,  麻埜和则 ,  石仓幸治

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/16 ,  H01L29/10 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F3/195 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7786 ,  H03F1/56 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管。根据本发明的场效应晶体管包括：硅衬底，该硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，该沟道层被形成在硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，该阻挡层被形成在沟道层上并且给沟道层提供电子；二维电子气层，通过沟道层和阻挡层之间的异质结形成该二维电子气层；源电极和漏电极，该源电极和漏电极均与阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，该栅电极被形成在源电极和漏电极之间，并且与阻挡层形成肖特基势垒结。