公开(公告)号：CN1288102C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200310121528.6

申请日：2003-12-19

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 弗里茨·施韦特费格 ,  阿克塞尔·弗劳恩克内希特 ,  延斯·京斯特 ,  斯文·恩格勒 ,  于尔根·海因里希

IPC: C03B8/00 ,  C03B19/00 ,  C03B20/00 ,  C30B15/00

CPC classification number: C04B35/14 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03C23/0025 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6026 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/775 ,  C30B15/10

Abstract: 一种制造部分区域或完全玻璃化SiO2成形体的方法，其中无定形、多孔性SiO2成形体是借助于辐射，利用无接触加热而烧结或玻璃化，并避免外来原子对该SiO2成形体造成污染，而且所用辐射是低于1000毫巴的低于大气压的压力下的激光光束。

公开(公告)号：CN1286748C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200410047575.5

申请日：2004-05-27

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 弗里茨·施韦特费格 ,  延斯·京斯特 ,  斯文·恩格勒 ,  于尔根·海因里希

IPC: C03B20/00

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00

Abstract: 一种制造无裂痕、内部玻璃化SiO2坩埚的方法，在该方法中，利用CO2激光束的焦斑烧结无定形、开孔SiO2坯体坩埚，其中在烧结过程中，使焦斑相对于坩埚移动，烧结作用利用点状焦斑自该SiO2坯体坩埚的上内边缘开始，并继续使点状焦斑扩大至预期焦斑尺寸，焦斑扫过SiO2坯体坩埚的上内边缘直至上内边缘完全玻璃化，然后焦斑移至SiO2坯体坩埚内。

公开(公告)号：CN1642855B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN03806359.X

申请日：2003-03-06

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 霍尔格·斯兹拉特 ,  弗里茨·施韦特费格 ,  贝恩德·哈克 ,  马库斯·舍费尔

IPC: C01B33/18 ,  C03C3/04 ,  C03C3/06 ,  C03B37/014 ,  C03B37/018 ,  B01J19/26 ,  B01J19/08

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C01B33/183 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/32 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C03B19/1025 ,  C03B2201/03 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/08 ,  C03B2207/12 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/42 ,  C03B2207/46 ,  C03C3/06 ,  C03C12/00 ,  C03C2201/02 ,  C03C2203/44

Abstract: 本发明涉及一种杂质的总量低于500ppb的硅石粉末。

公开(公告)号：CN1849269A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480026199.X

申请日：2004-09-02

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 弗里茨·施韦特费格 ,  延斯·京斯特 ,  于尔根·海因里希 ,  斯文·恩格勒

IPC: C03B20/00 ,  C30B15/10

CPC classification number: C03C17/225 ,  C03B19/06 ,  C03C23/0025 ,  C03C2218/32

Abstract: 本发明涉及由Si3N4涂覆的SiO2成型体的制造方法，其特征在于，将适合形成Si3N4烧结层的前体化合物涂覆在非晶且开孔的SiO2坯体的表面上，随后使该前体化合物在激光束中原位转化为Si3N4烧结层。

公开(公告)号：CN1835894A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023525.1

申请日：2004-08-19

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 弗里茨·施韦特费格

IPC: C03B20/00 ,  C03B19/06 ,  B28B1/26 ,  C04B35/14

CPC classification number: B01J21/08 ,  B28B1/26 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/04 ,  C03C3/06 ,  C04B35/14 ,  C04B2235/6022 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77

Abstract: 本发明涉及非晶多孔的开孔SiO2成型体，其特征在于，该SiO2成型体由两层组成，这些层具有相同结构和组成。