公开(公告)号：CN100349661C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN02825501.1

申请日：2002-11-29

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·L·罗宾森

IPC: B06B1/06 ,  G10K11/00 ,  H01L41/08

CPC classification number: G10K11/002 ,  B06B1/0685 ,  B06B1/0692 ,  B06B2201/76 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明针对用于微型机加工超声换能器(MUT)的改进的结构及此结构的制造方法。在一种实施形式中，基片上的MUT包括形成于基片内而在MUT之下一个位置的声腔。此腔充填的声衰减材料吸收基片中的声波和减少寄生电容。在另一实施形式中，此腔形成于多个MUT之下且充填声衰减材料。在又一实施形式中，声衰减材料基本上密封在介电层上的多个MUT。在再一实施形式中，基片中形成有至少一个单片式半导体电路，它可与MUT可操作地耦合以进行信号处理和/或控制操作。

公开(公告)号：CN1606476A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02825501.1

申请日：2002-11-29

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·L·罗宾森

IPC: B06B1/06 ,  G10K11/00 ,  H01L41/08

CPC classification number: G10K11/002 ,  B06B1/0685 ,  B06B1/0692 ,  B06B2201/76 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明针对用于微型机加工超声换能器(MUT)的改进的结构及此结构的制造方法。在一种实施形式中，基片上的MUT包括形成于基片内而在MUT之下一个位置的声腔。此腔充填的声衰减材料吸收基片中的声波和减少寄生电容。在另一实施形式中，此腔形成于多个MUT之下且充填声衰减材料。在又一实施形式中，声衰减材料基本上密封在介电层上的多个MUT。在再一实施形式中，基片中形成有至少一个单片式半导体电路，它可与MUT可操作地耦合以进行信号处理和/或控制操作。