公开(公告)号：CN102257591B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN200980150982.X

申请日：2009-12-14

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·D·德罗利

IPC: H01J35/10

CPC classification number: H01J35/108 ,  H01J2235/081 ,  H01J2235/084 ,  H01J2235/085 ,  H01J2235/088

Abstract: 本发明涉及在旋转阳极类型的X射线管中使用的混合阳极盘结构，并且，更具体地，涉及新型轻质阳极盘结构(RA)，该新型轻质阳极盘结构包括沉积于旋转X射线管的阳极靶(AT)上的粘附促进保护碳化硅(SiC)夹层(SCI)，其中，该阳极靶可以例如用碳-碳复合衬底(SUB’)制成。此外，提供一种用于将包括高Z材料的涂层(CL)(例如用钨铼合金制成的层)鲁棒地附着于所述阳极靶的表面上的制造方法，于是，根据所述方法，可以预见，在钨铼合金的沉积之前，将例如由钽(Ta)、铪(Hf)、钒(V)或铼(Re)层给予的难熔金属外涂层(RML)施加于碳化硅夹层(SCI)。因而，本发明充分利用热循环期间的碳化硅涂层的碳复合衬底(SUB’)的断裂的趋势，并且，通过联锁机制而提高碳化硅/难熔金属夹层与碳-碳复合衬底(SUB’)和焦点轨迹涂层(CL)的粘附。所提议的发明的关键方面是：a)碳化硅层(SCI)中的涂层裂缝(SC)的受控形成；和b)利用难熔金属来进行的SiC裂缝开口的共形填充。

公开(公告)号：CN102257591A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980150982.X

申请日：2009-12-14

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·D·德罗利

IPC: H01J35/10

CPC classification number: H01J35/108 ,  H01J2235/081 ,  H01J2235/084 ,  H01J2235/085 ,  H01J2235/088

Abstract: 本发明涉及在旋转阳极类型的X射线管中使用的混合阳极盘结构，并且，更具体地，涉及新型轻质阳极盘结构(RA)，该新型轻质阳极盘结构包括沉积于旋转X射线管的阳极靶(AT)上的粘附促进保护碳化硅(SiC)夹层(SCI)，其中，该阳极靶可以例如用碳-碳复合衬底(SUB’)制成。此外，提供一种用于将包括高Z材料的涂层(CL)(例如用钨铼合金制成的层)鲁棒地附着于所述阳极靶的表面上的制造方法，于是，根据所述方法，可以预见，在钨铼合金的沉积之前，将例如由钽(Ta)、铪(Hf)、钒(V)或铼(Re)层给予的难熔金属外涂层(RML)施加于碳化硅夹层(SCI)。因而，本发明充分利用热循环期间的碳化硅涂层的碳复合衬底(SUB’)的断裂的趋势，并且，通过联锁机制而提高碳化硅/难熔金属夹层与碳-碳复合衬底(SUB’)和焦点轨迹涂层(CL)的粘附。所提议的发明的关键方面是：a)碳化硅层(SCI)中的涂层裂缝(SC)的受控形成；和b)利用难熔金属来进行的SiC裂缝开口的共形填充。