-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109411605A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811259152.8
申请日：2018-10-26
Applicant: 福州大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L27/1159
Abstract: 本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器自上而下由基底、铁电绝缘层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层和顶部漏极组成；其网状源极、有机半导体层和顶部漏极层层堆叠在其空间上形成垂直的器件结构，在该结构下晶体管的沟道长度为有机半导体层的厚度（纳米级），超短的沟道长度为器件带来超高的电流密度和快速的响应速度，并且器件的电流方向是从网状源极垂直穿过有机半导体层到达顶部漏极，垂直的电流传输能有效避免由于铁电绝缘层粗糙度较大引起的界面问题提高了铁电存储器的性能；本发明有效提高了器件的驱动能力和响应速度。其在柔性上也有巨大的应用价值，为未来的铁电存储器件的应用提供了参考。
-
公开(公告)号：CN108831904B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810652591.9
申请日：2018-06-22
Applicant: 福州大学
IPC: H01L27/28
Abstract: 本发明涉及一种垂直结构有机薄膜晶体管阵列及其制备方法，垂直结构有机薄膜晶体管中的有机半导体层、源极接触电极和漏极均采用喷墨打印技术制备，有机半导体层为有机半导体薄膜点阵列，源极接触电极和漏极采用PEDOT：PSS纳米导电墨水，通过喷墨打印制备成点阵。源极接触电极和漏极为同步沉积，其中源极点阵沉积在距离有机半导体薄膜点阵列每个点旁，漏极沉积在有机半导体薄膜点阵列每个点的正上方，二者点阵列的中心重合。本发明制备的薄膜晶体管阵列工艺简单、快速、准确，可制备任意图案，且得到器件均一性好，有利于节约成本及大规模生产，该垂直结构的薄膜晶体管阵列有望广泛用于传感器阵列、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。
-
公开(公告)号：CN109545968B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811359069.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极；所述压电栅自下而上依次包括：下表面电极、压电薄膜或铁电驻极体、上表面电极。相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：通过自供电栅结构，可以将机械能转换成电能，在与其上下表面电极相连的栅极和漏极之间产生电压差取代外加栅压的作用，在绝缘层和有机半导体层界面感应出载流子，实现栅压的调控作用。通过其可以自身提供栅压取代外加栅压的特性，可以为人机交互、物联网及触屏光电技术等的发展提供技术支持，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109545968A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811359069.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极；所述压电栅自下而上依次包括：下表面电极、压电薄膜或铁电驻极体、上表面电极。相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：通过自供电栅结构，可以将机械能转换成电能，在与其上下表面电极相连的栅极和漏极之间产生电压差取代外加栅压的作用，在绝缘层和有机半导体层界面感应出载流子，实现栅压的调控作用。通过其可以自身提供栅压取代外加栅压的特性，可以为人机交互、物联网及触屏光电技术等的发展提供技术支持，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN108831904A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810652591.9
申请日：2018-06-22
Applicant: 福州大学
IPC: H01L27/28
Abstract: 本发明涉及一种垂直结构有机薄膜晶体管阵列及其制备方法，垂直结构有机薄膜晶体管中的有机半导体层、源极接触电极和漏极均采用喷墨打印技术制备，有机半导体层为有机半导体薄膜点阵列，源极接触电极和漏极采用PEDOT：PSS纳米导电墨水，通过喷墨打印制备成点阵。源极接触电极和漏极为同步沉积，其中源极点阵沉积在距离有机半导体薄膜点阵列每个点旁，漏极沉积在有机半导体薄膜点阵列每个点的正上方，二者点阵列的中心重合。本发明制备的薄膜晶体管阵列工艺简单、快速、准确，可制备任意图案，且得到器件均一性好，有利于节约成本及大规模生产，该垂直结构的薄膜晶体管阵列有望广泛用于传感器阵列、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.034 seconds)
