公开(公告)号：CN117378029B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202280036973.3

申请日：2022-07-05

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： L·葛瑞拉 ,  N·朱邦 ,  S·皮茨

IPC: H01J37/073 ,  H01J37/28

Abstract: 一种电子束装置包含用于发射电子的冷场发射源及相对于所述冷场发射源正偏置以从所述冷场发射源中提取所述电子的提取器电极。所述提取器电极具有用于所述电子的第一开口。所述电子束装置还包含具有用于所述电子的第二开口的镜电极。所述镜电极能够配置为在第一操作期间相对于所述提取器电极正偏置且在第二操作模式期间相对于所述提取器电极负偏置。所述提取器电极安置于所述冷场发射源与所述镜电极之间。所述电子束装置进一步包含相对于所述提取器电极及冷场发射源正偏置的阳极。所述镜电极安置于所述提取器电极与所述阳极之间。

公开(公告)号：CN117378029A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280036973.3

申请日：2022-07-05

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： L·葛瑞拉 ,  N·朱邦 ,  S·皮茨

IPC: H01J37/073

Abstract: 一种电子束装置包含用于发射电子的冷场发射源及相对于所述冷场发射源正偏置以从所述冷场发射源中提取所述电子的提取器电极。所述提取器电极具有用于所述电子的第一开口。所述电子束装置还包含具有用于所述电子的第二开口的镜电极。所述镜电极能够配置为在第一操作期间相对于所述提取器电极正偏置且在第二操作模式期间相对于所述提取器电极负偏置。所述提取器电极安置于所述冷场发射源与所述镜电极之间。所述电子束装置进一步包含相对于所述提取器电极及冷场发射源正偏置的阳极。所述镜电极安置于所述提取器电极与所述阳极之间。