公开(公告)号：CN1747148A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510102540.1

申请日：2005-09-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前村公博 ,  小林等 ,  中岛忠俊 ,  小平觉

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种遮光效果好、可靠性高，而且有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。该半导体装置包括：具有被遮光区域(10A)的半导体层(10)；设于该被遮光区域(10A)的该半导体层(10)上的半导体器件(100、120)；设于该半导体器件(100、120)上面的第一层间绝缘层(40)；设于该第一层间绝缘层上面的多个第一遮光层(44)；至少设于第一遮光层(44)上面的第二层间层间绝缘层(50)；以及设置在该第二层间绝缘层(50)的上面、并且具有预定图案的第二遮光层(54)，其中，该第二遮光层(54)具有至少位于相邻的该第一遮光层(44)之间的图案。

公开(公告)号：CN101320723A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810126251.9

申请日：2005-09-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前村公博 ,  小林等 ,  中岛忠俊 ,  小平觉

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种遮光效果好、可靠性高，而且有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。该半导体装置包括：具有被遮光区域(10A)的半导体层(10)；设于该被遮光区域(10A)的该半导体层(10)上的半导体器件(100、120)；设于该半导体器件(100、120)上面的第一层间绝缘层(40)；设于该第一层间绝缘层上面的多个第一遮光层(44)；至少设于第一遮光层(44)上面的第二层间层间绝缘层(50)；以及设置在该第二层间绝缘层(50)的上面、并且具有预定图案的第二遮光层(54)，其中，该第二遮光层(54)具有至少位于相邻的该第一遮光层(44)之间的图案。

公开(公告)号：CN100409426C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200510102540.1

申请日：2005-09-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前村公博 ,  小林等 ,  中岛忠俊 ,  小平觉

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种遮光效果好、可靠性高，而且有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。该半导体装置包括：具有被遮光区域(10A)的半导体层(10)；设于该被遮光区域(10A)的该半导体层(10)上的半导体器件(100、120)；设于该半导体器件(100、120)上面的第一层间绝缘层(40)；设于该第一层间绝缘层上面的多个第一遮光层(44)；至少设于第一遮光层(44)上面的第二层间层间绝缘层(50)；以及设置在该第二层间绝缘层(50)的上面、并且具有预定图案的第二遮光层(54)，其中，该第二遮光层(54)具有至少位于相邻的该第一遮光层(44)之间的图案。

公开(公告)号：CN101320723B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200810126251.9

申请日：2005-09-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前村公博 ,  小林等 ,  中岛忠俊 ,  小平觉

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种遮光效果好、可靠性高，而且有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。该半导体装置包括：具有被遮光区域(10A)的半导体层(10)；设于该被遮光区域(10A)的该半导体层(10)上的半导体器件(100、120)；设于该半导体器件(100、120)上面的第一层间绝缘层(40)；设于该第一层间绝缘层上面的多个第一遮光层(44)；至少设于第一遮光层(44)上面的第二层间层间绝缘层(50)；以及设置在该第二层间绝缘层(50)的上面、并且具有预定图案的第二遮光层(54)，其中，该第二遮光层(54)具有至少位于相邻的该第一遮光层(44)之间的图案。

公开(公告)号：CN101320720A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810126248.7

申请日：2005-09-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前村公博 ,  小林等 ,  中岛忠俊 ,  小平觉

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种遮光效果好、可靠性高，而且有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。该半导体装置包括：具有被遮光区域(10A)的半导体层(10)；设于该被遮光区域(10A)的该半导体层(10)上的半导体器件(100、120)；设于该半导体器件(100、120)上面的第一层间绝缘层(40)；设于该第一层间绝缘层上面的多个第一遮光层(44)；至少设于第一遮光层(44)上面的第二层间层间绝缘层(50)；以及设置在该第二层间绝缘层(50)的上面、并且具有预定图案的第二遮光层(54)，其中，该第二遮光层(54)具有至少位于相邻的该第一遮光层(44)之间的图案。

公开(公告)号：CN101320720B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810126248.7

申请日：2005-09-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前村公博 ,  小林等 ,  中岛忠俊 ,  小平觉

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种遮光效果好、可靠性高，而且有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。该半导体装置包括：具有被遮光区域(10A)的半导体层(10)；设于该被遮光区域(10A)的该半导体层(10)上的半导体器件(100、120)；设于该半导体器件(100、120)上面的第一层间绝缘层(40)；设于该第一层间绝缘层上面的多个第一遮光层(44)；至少设于第一遮光层(44)上面的第二层间层间绝缘层(50)；以及设置在该第二层间绝缘层(50)的上面、并且具有预定图案的第二遮光层(54)，其中，该第二遮光层(54)具有至少位于相邻的该第一遮光层(44)之间的图案。

公开(公告)号：CN101320722A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810126250.4

申请日：2005-09-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前村公博 ,  小林等 ,  中岛忠俊 ,  小平觉

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种遮光效果好、可靠性高，而且有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。该半导体装置包括：具有被遮光区域(10A)的半导体层(10)；设于该被遮光区域(10A)的该半导体层(10)上的半导体器件(100、120)；设于该半导体器件(100、120)上面的第一层间绝缘层(40)；设于该第一层间绝缘层上面的多个第一遮光层(44)；至少设于第一遮光层(44)上面的第二层间层间绝缘层(50)；以及设置在该第二层间绝缘层(50)的上面、并且具有预定图案的第二遮光层(54)，其中，该第二遮光层(54)具有至少位于相邻的该第一遮光层(44)之间的图案。

公开(公告)号：CN101320721A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810126249.1

申请日：2005-09-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前村公博 ,  小林等 ,  中岛忠俊 ,  小平觉

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种遮光效果好、可靠性高，而且有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。该半导体装置包括：具有被遮光区域(10A)的半导体层(10)；设于该被遮光区域(10A)的该半导体层(10)上的半导体器件(100、120)；设于该半导体器件(100、120)上面的第一层间绝缘层(40)；设于该第一层间绝缘层上面的多个第一遮光层(44)；至少设于第一遮光层(44)上面的第二层间层间绝缘层(50)；以及设置在该第二层间绝缘层(50)的上面、并且具有预定图案的第二遮光层(54)，其中，该第二遮光层(54)具有至少位于相邻的该第一遮光层(44)之间的图案。