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公开(公告)号：CN107817548A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711262389.7
申请日：2014-07-02
Applicant: 索尼公司
IPC: G02B5/20 , H01L27/146
Abstract: 一种成像装置、成像设备和相机系统，该成像装置包括透镜；基板；成像传感器，在基板上并且包括被配置为通过透镜接收入射光的像素区域；布线层，在成像传感器上并且电连接至成像传感器；焊盘部分，在布线层上并且电连接至布线层；导线，电连接至焊盘部分；以及光学元件，在布线层上并且经由粘合件附接至布线层；其中，像素区域的外边缘和光学元件的上表面的外边缘之间的水平距离大于距离Hopt，其中，Hopt由下式表示：Hopt＝T*(f-2*H*Fno)/(2*f*Fno+H)，其中T、f、Fno和H分别表示光学元件的厚度、透镜的焦距、透镜的F数和成像传感器的图像高度，并且，其中，Hopt大于零。
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公开(公告)号：CN103946691B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201280057511.6
申请日：2012-11-16
Applicant: 索尼公司
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/553 , G01J3/4406 , G01N21/6454 , G01N2021/6471
Abstract: 本发明提供一种设置有分光特性优异的分光滤波器的化学传感器、化学传感器模块、化学物质检测装置和化学物质检测方法。根据本技术的化学传感器设置有基板和等离子体激元吸收层。在所述基板上形成有光检测部。所述等离子体激元吸收层层叠在所述基板上并具有产生等离子体激元吸收性的金属纳米结构。
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公开(公告)号：CN108780846B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201780016139.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 索尼公司
IPC: H10K85/60 , H10K30/00 , H01L27/146
Abstract: 根据本发明的光电转换元件包括：第一电极和第二电极，它们彼此面对地布置着；以及光电转换层，它被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包含由下列的通式(1)、通式(2)和通式(3)中的任一者表示的多环芳香族化合物中的至少一种：
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公开(公告)号：CN104169711A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013161.8
申请日：2013-02-01
Applicant: 索尼公司
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N33/5438 , B29C59/02 , B29C65/02 , B29C65/72 , B29D11/0073 , B29D11/0074 , B29K2101/12 , B29K2105/253 , B29L2011/00 , B29L2011/0016 , G01N21/6454 , G01N21/6456 , G01N2021/6478 , G01N2201/068
Abstract: 本发明提供了一种能够有效地检测检测对象物的发光的化学传感器、化学传感器的制造方法和化学物质检测装置。根据本技术的化学传感器设置有基板和透镜层。在所述基板上形成至少一个光检测部。所述透镜层层叠在所述基板上，具有光透过性，以及具有在基板相反侧的表面上形成的透镜结构，所述透镜结构在层叠方向上具有凹状。
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公开(公告)号：CN103779368A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310471266.X
申请日：2013-10-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: G02B5/208 , G02B5/201 , G02B5/22 , G02B5/26 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H04N5/2254 , H04N5/33 , H04N9/045 , H04N9/04511 , H04N2005/4426
Abstract: 本发明提供一种不降低拍摄性能而能够使拍摄光学系统薄型化的拍摄元件及拍摄装置。本发明涉及的拍摄元件具备：片上透镜、低折射率层、红外吸收层。片上透镜由高折射率材料形成。低折射率层平坦地形成于片上透镜上，由低折射率材料形成。红外吸收层相比低折射率层层叠于上层，由红外吸收材料形成。
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公开(公告)号：CN102419513A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110287475.X
申请日：2011-09-26
Applicant: 索尼公司
IPC: G03F7/004 , H01L21/312 , H01L21/311
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/30 , H01L21/0273
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂组合物，其含有在酸存在下交联的交联材料、酸增幅剂和溶剂。本发明还提供一种半导体器件制造方法，其包括：利用第一抗蚀剂组合物在半导体基板上形成第一抗蚀剂图形，第一抗蚀剂图形能够供给酸；通过在第一抗蚀剂图形上涂布第二抗蚀剂组合物形成第二抗蚀剂层，第二抗蚀剂组合物含有在酸存在下交联的交联材料、酸增幅剂和溶剂；通过使酸从第一抗蚀剂图形扩散到第二抗蚀剂层而在第二抗蚀剂层中形成交联部；以及除去第二抗蚀剂层的未交联部分。根据本发明，能够使抗蚀剂图形的开口微型化。
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公开(公告)号：CN1239570A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN98801354.1
申请日：1998-07-17
Applicant: 索尼公司
IPC: G11B5/71 , G11B5/72 , C10M105/00 , C10N40/18
CPC classification number: C10M171/00 , G11B5/71 , G11B5/725
Abstract: 一种在其最外层中保持了有所规定单环式、二环式和三环式结构的液晶分子作为润滑剂的磁记录介质；和一种磁记录/再现装置，包含一种用于记录信息的磁记录介质，和一种用于把信息记录在磁记录介质上和/或使磁记录介质上的信息再现的磁头，其中，磁记录介质和磁头的几何平均面之间的最小间隔是50nm或以下，且有规定结构的液晶分子作为一种润滑剂保持于磁记录介质的最外层中。该润滑剂含有呈从固相向液相的相转变状态并具有介于液体与固体之间的中间性质的液晶分子。该润滑剂能通过相转变释放出滑动所产生的动能。该磁记录介质和磁记录/再现装置能满足连续滑动耐久性、低粘着性和高月牙形力等全部特征。
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公开(公告)号：CN107817548B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201711262389.7
申请日：2014-07-02
Applicant: 索尼公司
IPC: G02B5/20 , H01L27/146
Abstract: 一种成像装置、成像设备和相机系统，该成像装置包括透镜；基板；成像传感器，在基板上并且包括被配置为通过透镜接收入射光的像素区域；布线层，在成像传感器上并且电连接至成像传感器；焊盘部分，在布线层上并且电连接至布线层；导线，电连接至焊盘部分；以及光学元件，在布线层上并且经由粘合件附接至布线层；其中，像素区域的外边缘和光学元件的上表面的外边缘之间的水平距离大于距离Hopt，其中，Hopt由下式表示：Hopt＝T*(f‑2*H*Fno)/(2*f*Fno+H)，其中T、f、Fno和H分别表示光学元件的厚度、透镜的焦距、透镜的F数和成像传感器的图像高度，并且，其中，Hopt大于零。
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公开(公告)号：CN104062846A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410085597.4
申请日：2014-03-10
Applicant: 索尼公司
IPC: G03F7/004 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/168 , G03F7/0035 , H01L21/0273
Abstract: 本发明公开了抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物的半导体器件的制造方法。所述抗蚀剂组合物包括：在存在酸的情况下引发交联的交联材料；包合物；和溶剂。所述制造方法包括如下步骤：使用第一抗蚀剂组合物在半导体基板上形成能够供给酸的第一抗蚀剂图案；通过涂布含有包合物、溶剂和在存在酸的情况下引发交联的交联材料的第二抗蚀剂组合物，在所述第一抗蚀剂图案上形成第二抗蚀剂层；通过使来自所述第一抗蚀剂图案的酸扩散进入所述第二抗蚀剂层，在所述第二抗蚀剂层中形成交联层；以及去除所述第二抗蚀剂层的未交联部分。根据本发明，能够使抗蚀剂图案的开口小型化。
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公开(公告)号：CN117098405A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310836263.5
申请日：2017-03-14
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本发明的光电转换元件包括：第一电极和第二电极，它们彼此面对地布置着；以及光电转换层，它被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包含由下列的通式(1)、通式(2)和通式(3)中的任一者表示的多环芳香族化合物中的至少一种：
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