公开(公告)号：CN103390627B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310232383.0

申请日：2007-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康 ,  山口哲司 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475

Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。

公开(公告)号：CN103050501A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210551421.4

申请日：2007-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康 ,  山口哲司 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0224 ,  H04N5/374 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475

Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。

公开(公告)号：CN101894850B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201010225159.5

申请日：2004-02-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609

Abstract: 本发明提供一种互补金属氧化物半导体(CMOS)固态成像装置。该CMOS固态成像装置能够获得更高的图像质量，同时减少尺寸和功耗、增加像素的数量和速度。根据本发明，在CMOS固态成像装置中，包括根据所接收光的量进行光电转换的光接收部分(11)、用于光接收部分(11)的光电转换部分读出所获得的电荷的传输栅极(12a)、以及设置在光接收部分(11)的外围中的外围晶体管，还包括其驱动方法，其中，施加至所述传输栅极的电压设定得高于施加至外围晶体管的电压。

公开(公告)号：CN101079967A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710128250.3

申请日：2007-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康 ,  山口哲司 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  大岸裕子

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。

公开(公告)号：CN101465364A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810183590.0

申请日：2008-12-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 广田功 ,  原田耕一 ,  唐泽信浩 ,  丸山康 ,  新田嘉一 ,  寺笼博裕 ,  高岛大 ,  野村秀雄

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机，其中，该固态成像装置包括：像素单元，形成在基板上，该基板具有光照射于其上的第一基板表面侧和其上形成多个元件的第二基板表面侧，并且对于作为一个单位的像素单元中的每一个或者多个像素单元，像素单元被相邻的单元组和元件分隔层所分隔。每个像素单元均具有形成在第一基板面侧上的第一导电阱和形成在第二基板面侧上的第二导电阱。第一导电阱接收来自第一基板面侧的光并具有用于所接收光的光电转换功能和电荷累积功能。在第二导电阱中形成有检测第一导电阱中的累积电荷并具有阈值调制功能的晶体管。本发明可以有效且迅速地执行一系列操作，例如，光电载流子的生成和累积、电荷的读出以及剩余电荷的传输。

公开(公告)号：CN1751501A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200480004403.8

申请日：2004-02-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609

Abstract: 一种CMOS固态成像装置能够获得更高的图像质量，同时减少尺寸和功耗、增加像素的数量和速度。根据本发明，在CMOS固态成像装置中，包括根据所接收光的量进行光电转换的光接收部分(11)、用于光接收部分(11)的光电转换部分读出所获得的电荷的传输栅极(12a)、以及设置在光接收部分(11)的外围中的外围晶体管，还包括其驱动方法，其中，施加至所述传输栅极的电压设定得高于施加至外围晶体管的电压。

公开(公告)号：CN101894850A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010225159.5

申请日：2004-02-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N3/15

CPC classification number: H01L27/14609

Abstract: 本发明提供一种互补金属氧化物半导体(CMOS)固态成像装置。该CMOS固态成像装置能够获得更高的图像质量，同时减少尺寸和功耗、增加像素的数量和速度。根据本发明，在CMOS固态成像装置中，包括根据所接收光的量进行光电转换的光接收部分(11)、用于光接收部分(11)的光电转换部分读出所获得的电荷的传输栅极(12a)、以及设置在光接收部分(11)的外围中的外围晶体管，还包括其驱动方法，其中，施加至所述传输栅极的电压设定得高于施加至外围晶体管的电压。

公开(公告)号：CN101221968B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200810000472.1

申请日：2008-01-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供了一种固态成像装置，其包括由以二维矩阵方式排列的多个像素形成的成像区域。该固态成像装置包括：光电转换部分，包括设置在半导体衬底上的电荷积累区域；读取晶体管，用于从光电转换部分读取电荷；以及吸杂位置，用于将半导体衬底内的金属杂质至少与光电转换部分分离。光电转换部分设置在半导体衬底的表面侧，吸杂位置设置在背离半导体衬底的背面侧。本发明还提供了包括固态成像装置的电子模块和电子设备。

公开(公告)号：CN100456483C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN03822342.2

申请日：2003-09-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14601

Abstract: 根据光学系统和传感器光接收部分之间的距离，可在各个像素内获得适当的入射状态，并可实现光接收效率的提高以及各个像素内的均匀的灵敏度。由于主光束以入射角θ到达屏幕外围部分的像素，所以在位置关系中根据入射角θ，微透镜(260)、彩色滤光片(250)、导线(220，230，及240)、光电二极管(110)等是沿着入射方向而布置。本发明中确定入射角θ时考虑到：微透镜(260)到硅衬底(100)表面的距离，以及硅衬底(100)表面到光电二极管(110)光电转换部分深度内的位置。根据入射角θ，光电二极管(110)的光电转换部分(n型区域)在屏幕外围部分的像素内倾斜。

公开(公告)号：CN1682375A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03822342.2

申请日：2003-09-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14601

Abstract: 根据光学系统和传感器光接收部分之间的距离，可在各个像素内获得适当的入射状态，并可实现光接收效率的提高以及各个像素内的均匀的灵敏度。由于主光束以入射角θ到达屏幕外围部分的像素，所以在位置关系中根据入射角θ，微透镜(260)、彩色滤光片(250)、导线(220，230，及240)、光电二极管(110)等是沿着入射方向而布置。本发明中确定入射角θ时考虑到：微透镜(260)到硅衬底(100)表面的距离，以及硅衬底(100)表面到光电二极管(110)光电转换部分深度内的位置。根据入射角θ，光电二极管(110)的光电转换部分(n型区域)在屏幕外围部分的像素内倾斜。