公开(公告)号：CN100438104C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200610008643.6

申请日：2006-02-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 里泰雄 ,  御友重吾 ,  横关弥树博 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/343

Abstract: 提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaNvAs1-v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×1019cm-3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×1018cm-3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。

公开(公告)号：CN1822406A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008643.6

申请日：2006-02-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 里泰雄 ,  御友重吾 ,  横关弥树博 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/343

Abstract: 提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga1－xInxNyAs1－y－zSbz混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaNvAs1－v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×1019cm－3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×1018cm－3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。