公开(公告)号：CN101764138A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910266364.3

申请日：2009-12-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 汤元博志 ,  米田修二 ,  向井友和 ,  竹内克彦

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L31/103 ,  G11B7/13 ,  H01L27/1463 ,  H01L31/035272 ,  H03F3/087

Abstract: 本发明提供设有光电二极管的半导体装置及其制造方法和光盘装置。该半导体装置包括：P型半导体基板；在P型半导体基板上形成的第一P型半导体层；在第一P型半导体层上形成并且具有比第一P型半导体层低的P型杂质浓度的第二P型半导体层；在第二P型半导体层上形成的将要形成阴极区域的N型半导体层；通过在第二P型半导体层的部分区域中扩散P型杂质而形成的第一P型扩散层；第二P型扩散层，在邻近第一P型扩散层的下方，在第二P型半导体层中扩散P型杂质形成，并且具有比第一P型扩散层低的P型杂质浓度；以及以将N型半导体层和第一P型扩散层彼此隔离的这样的方式形成的光电二极管。

公开(公告)号：CN101546793A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910132306.1

申请日：2009-03-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 米田修二 ,  大石正人 ,  篠原保 ,  渡边信二 ,  宫田浩司 ,  深江诚二 ,  山内健二 ,  后藤阳一 ,  马场雅和

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明公开了半导体装置及半导体装置制造方法，该半导体装置制造方法包括如下步骤：在含有光电二极管的基板的上表面上形成树脂层，所述树脂层未覆盖所述光电二极管的光接收区域；在所述树脂层中形成包围着所述光接收区域的至少一个凹槽；并且随后，通过将所述基板装填至模具中并使用模塑树脂填充所述模具，来模压密封所述光电二极管。在该模压密封步骤中，能够防止用来填充模具的模塑树脂流到光电二极管的光接收区域中。结果，能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此，能够提高产率。

公开(公告)号：CN103594526B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210597892.9

申请日：2009-03-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 米田修二 ,  大石正人 ,  篠原保 ,  渡边信二 ,  宫田浩司 ,  深江诚二 ,  山内健二 ,  后藤阳一 ,  马场雅和

IPC: H01L31/0203

Abstract: 本发明公开的半导体装置包括：基板，在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域，所述配线层位于所述光接收区域的周围，所述电极焊盘位于所述配线层上；在所述基板的上表面上形成的树脂层，所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽，并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上，且所述树脂层具有耐热和遮光能力，其中，在所述光接收区域上方存在有树脂膜。结果，能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此，能够提高产率。

公开(公告)号：CN101764138B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200910266364.3

申请日：2009-12-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 汤元博志 ,  米田修二 ,  向井友和 ,  竹内克彦

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L31/103 ,  G11B7/13 ,  H01L27/1463 ,  H01L31/035272 ,  H03F3/087

Abstract: 本发明提供设有光电二极管的半导体装置及其制造方法和光盘装置。该半导体装置包括：P型半导体基板；在P型半导体基板上形成的第一P型半导体层；在第一P型半导体层上形成并且具有比第一P型半导体层低的P型杂质浓度的第二P型半导体层；在第二P型半导体层上形成的将要形成阴极区域的N型半导体层；通过在第二P型半导体层的部分区域中扩散P型杂质而形成的第一P型扩散层；第二P型扩散层，在邻近第一P型扩散层的下方，在第二P型半导体层中扩散P型杂质形成，并且具有比第一P型扩散层低的P型杂质浓度；以及以将N型半导体层和第一P型扩散层彼此隔离的这样的方式形成的光电二极管。

公开(公告)号：CN103594526A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210597892.9

申请日：2009-03-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 米田修二 ,  大石正人 ,  篠原保 ,  渡边信二 ,  宫田浩司 ,  深江诚二 ,  山内健二 ,  后藤阳一 ,  马场雅和

IPC: H01L31/0203

Abstract: 本发明公开的半导体装置包括：基板，在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域，所述配线层位于所述光接收区域的周围，所述电极焊盘位于所述配线层上；在所述基板的上表面上形成的树脂层，所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽，并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上，且所述树脂层具有耐热和遮光能力，其中，在所述光接收区域上方存在有树脂膜。结果，能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此，能够提高产率。

公开(公告)号：CN101546793B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200910132306.1

申请日：2009-03-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 米田修二 ,  大石正人 ,  篠原保 ,  渡边信二 ,  宫田浩司 ,  深江诚二 ,  山内健二 ,  后藤阳一 ,  马场雅和

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明公开了半导体装置及半导体装置制造方法，该半导体装置制造方法包括如下步骤：在含有光电二极管的基板的上表面上形成树脂层，所述树脂层未覆盖所述光电二极管的光接收区域；在所述树脂层中形成包围着所述光接收区域的至少一个凹槽；并且随后，通过将所述基板装填至模具中并使用模塑树脂填充所述模具，来模压密封所述光电二极管。在该模压密封步骤中，能够防止用来填充模具的模塑树脂流到光电二极管的光接收区域中。结果，能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此，能够提高产率。