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公开(公告)号：CN106687035A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580051852.6
申请日：2015-08-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 在一种用于基于测量核磁共振来分析在试样中的物质的设备（40）中，所述设备包括用于产生磁场的器件（47）。所述设备（40）的特征在于，为了侦测磁共振设置有至少一个磁场传感器，该磁共振通过在试样中产生所述磁场被感应，所述磁场传感器包括带有钻石结构的至少一个敏感的组件（45），其中，所述钻石结构具有氮空位中心。
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公开(公告)号：CN107003277B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201580065419.8
申请日：2015-10-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01N27/407
Abstract: 本发明涉及用于制造用于检测至少一种气态分析物的气体传感器装置（100）的方法。所述方法（700）具有以下步骤：提供传感器基体（110），所述半导体基体具有半导体衬底（112）和被布置在所述半导体衬底（112）的第一主表面上的固体电解质层（116），至少一个腔区段（114）成形在所述半导体衬底中。在此所述固体电解质层（116）在所述至少一个腔区段（114）中未被所述半导体衬底（112）覆盖。所述方法还具有以下步骤：在所述传感器基体（110）的半导体衬底侧处生成以干化学方式沉积的信号传导层（120），使得在所述至少一个腔区段（114）中未被所述半导体衬底（112）覆盖的固体电解质层（116）的区域中，至少一个缺口区段在所述信号传导层（120）中成形，在所述缺口区段中移除了或者未沉积所述信号传导层（120）；此外，所述方法具有下述步骤：将至少两个测量电极（130、140）借助于湿化学过程涂覆到所述固体电解质层（116）上，其中第一测量电极（130）布置在所述信号传导层（120）的所述至少一个缺口区段中，并且第二测量电极（140）布置在所述传感器基体（110）的固体电解质层侧上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108732143A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810264163.9
申请日：2018-03-28
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01R33/032 , G01R33/1284 , G01N21/64
Abstract: 本发明涉及生产结晶体单元的方法、传感器设备及相关设备和方法。本发明涉及一种用于生产用于传感器设备的结晶体单元（1100）的方法。所述方法具有以下步骤：在至少部分地光学透明的载体衬底（1115）和具有至少一个空穴的至少一个结晶体（100）之间制造材料决定的连接。所述方法也具有处理所述载体衬底（1115）和/或所述至少一个结晶体（100）的步骤。在此，在处理的步骤中，将所述至少一个结晶体（100）和/或所述载体衬底（1115）划分成各个分段。
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公开(公告)号：CN106687035B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201580051852.6
申请日：2015-08-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 在一种用于基于测量核磁共振来分析在试样中的物质的设备（40）中，所述设备包括用于产生磁场的器件（47）。所述设备（40）的特征在于，为了侦测磁共振设置有至少一个磁场传感器，该磁共振通过在试样中产生所述磁场被感应，所述磁场传感器包括带有钻石结构的至少一个敏感的组件（45），其中，所述钻石结构具有氮空位中心。
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公开(公告)号：CN109585643A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811131138.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H01L43/065 , H01L43/04 , H01L43/14 , H01L43/06
Abstract: 本发明涉及一种用于静电掺杂二维掺杂层（104）的层复合体（102）。所述层复合体（102）包括具有限定的载流子密度和/或限定的极性的与所述掺杂层（104）连接成所述层复合体（102）的电介体层（400）。所述电介体层（400）被构造用于通过与所述掺杂层（104）的静电相互作用将所述掺杂层（104）的载流子密度根据限定的载流子密度而调节到限定的值上和/或根据限定的极性来极化所述掺杂层（104）。
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公开(公告)号：CN109219756A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780035460.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及一种传感器装置（800）。该传感器装置（800）具有：具有至少一个缺陷的晶体（810）。该传感器装置（800）还具有用于用激励光（210）照射晶体（810）的光源（820）。该传感器装置（800）还具有至少一个用于给晶体（810）加载微波的微波天线（830）。该传感器装置（800）还具有用于探测晶体（810）的荧光信号（220）的至少一个信号特性的探测装置（840、850、855）。该传感器装置（800）还具有施加装置（860、870、880），其被构造用于将用于产生微波的微波信号和用于生成内部磁场的磁场信号施加到至少一个微波天线（830）上，其中能够利用所述内部磁场加载晶体（810）。
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公开(公告)号：CN107003277A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065419.8
申请日：2015-10-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01N27/407
Abstract: 本发明涉及用于制造用于检测至少一种气态分析物的气体传感器装置（100）的方法。所述方法（700）具有以下步骤：提供传感器基体（110），所述半导体基体具有半导体衬底（112）和被布置在所述半导体衬底（112）的第一主表面上的固体电解质层（116），至少一个腔区段（114）成形在所述半导体衬底中。在此所述固体电解质层（116）在所述至少一个腔区段（114）中未被所述半导体衬底（112）覆盖。所述方法还具有以下步骤：在所述传感器基体（110）的半导体衬底侧处生成以干化学方式沉积的信号传导层（120），使得在所述至少一个腔区段（114）中未被所述半导体衬底（112）覆盖的固体电解质层（116）的区域中，至少一个缺口区段在所述信号传导层（120）中成形，在所述缺口区段中移除了或者未沉积所述信号传导层（120）；此外，所述方法具有下述步骤：将至少两个测量电极（130、140）借助于湿化学过程涂覆到所述固体电解质层（116）上，其中第一测量电极（130）布置在所述信号传导层（120）的所述至少一个缺口区段中，并且第二测量电极（140）布置在所述传感器基体（110）的固体电解质层侧上。
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