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公开(公告)号：CN107924954B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201680050977.1
申请日：2016-07-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 用于制造沟槽电容器（2）的方法，所述方法具有如下步骤：提供衬底（200），所述衬底具有正面（201）和背面（202）；在所述衬底（200）的正面（201）上产生具有沟槽（210）的沟槽结构；在所述衬底（200）的背面（202）上施加结构（240）；在所述衬底（200）的正面（201）上并且在所述衬底（200）的沟槽（210）中沉积绝缘介电层（220）；将第一电极（230）施加到沉积在所述衬底（200）的正面（201）上并且沉积在沟槽结构（210）中的绝缘介电层（220）上；将第二电极（250）施加到所述衬底（200）的配备有所述结构（240）的背面（202）上，其中所述结构（240）具有缺口（245），使得所述第二电极（250）在所述缺口（245）的区域内接触所述衬底（200）的背面（202），以及半导体‑沟槽‑电容器（2）。
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公开(公告)号：CN107924954A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050977.1
申请日：2016-07-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 用于制造沟槽电容器（2）的方法，所述方法具有如下步骤：提供衬底（200），所述衬底具有正面（201）和背面（202）；在所述衬底（200）的正面（201）上产生具有沟槽（210）的沟槽结构；在所述衬底（200）的背面（202）上施加结构（240）；在所述衬底（200）的正面（201）上并且在所述衬底（200）的沟槽（210）中沉积绝缘介电层（220）；将第一电极（230）施加到沉积在所述衬底（200）的正面（201）上并且沉积在沟槽结构（210）中的绝缘介电层（220）上；将第二电极（250）施加到所述衬底（200）的配备有所述结构（240）的背面（202）上，其中所述结构（240）具有缺口（245），使得所述第二电极（250）在所述缺口（245）的区域内接触所述衬底（200）的背面（202），以及半导体-沟槽-电容器（2）。
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公开(公告)号：CN107968231A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710976736.6
申请日：2017-10-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H01M2/34 , H01M2200/00 , H02J7/0029 , H01M10/42 , H01M2/348 , H01M10/44
Abstract: 本发明涉及一种短路开关（1），特别是作为电池组电池（10）的快速放电单元（30）的放电开关（32），其具有：第一接触元件（2-1）和第二接触元件（2-2），所述第一接触元件和第二接触元件能够相对于彼此移动地构造，使得通过第一接触元件和第二接触元件能够在彼此电分离的情况下占据第一状态并且在彼此电接触的情况下占据第二状态；牺牲材料（3），所述牺牲材料能够在热作用下热分解；加热元件（4），所述加热元件与牺牲材料（3）热接触地构造，其中牺牲材料（3）被构造成，使得在从未热分解的状态到热分解的状态的过渡中通过第一和第二接触元件的相对于彼此的移动而引起或实现第一和第二接触元件（2-1、2-2）之间的电接触。
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