公开(公告)号：CN1054134C

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：CN93118214.X

申请日：1993-09-28

Applicant: 罗姆和哈斯公司

Inventor： E·A·达达 ,  Y·H·帕克 ,  W·劳 ,  G·斯维特 ,  R·F·莫里特

IPC: C08F2/04 ,  C08F120/06

CPC classification number: C11D3/3757 ,  C08F2/06 ,  Y02P20/544

Abstract: 本发明提供一种制备分子量低于5,000和多分散度低于2.5的聚合物的方法。聚合反应在温度至少为200℃和压力高于24MPa下的超临界二氧化碳中进行。这个方法可以是连续的、半连续的或分批处理。聚合物应用于去污添加剂、污垢抑制剂、分散剂和晶体生长改进剂。

公开(公告)号：CN1096792A

公开(公告)日：1994-12-28

申请号：CN93118214.X

申请日：1993-09-28

Applicant: 罗姆和哈斯公司

Inventor： E·A·达达 ,  Y·H·帕克 ,  W·劳 ,  G·斯维特 ,  R·F·莫里特

IPC: C08F2/44 ,  C08F120/06 ,  C11D3/37 ,  C02F5/10

CPC classification number: C11D3/3757 ,  C08F2/06 ,  Y02P20/544

Abstract: 本发明提供一种制备分子量低于5,000和多分散度低于2.5的聚合物的方法。聚合反应在温度至少为200℃和压力高于3,500Psi下的超临界二氧化碳中进行。这个方法可以是连续的、半连续的或分批处理。聚合物应用于去污添加剂、污垢抑制剂、分散剂和晶体生长改进剂。