变容二极管及变容二极管系统

    公开(公告)号:CN104103425B

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201410145645.4

    申请日:2014-04-11

    CPC classification number: H01G5/16 B81B3/0078 B81B7/00 B81B2201/0221

    Abstract: 本发明涉及变容二极管及变容二极管系统。所述变容二极管具有致动器,其中所述致动器的第一致动器表面(2a)呈现在基板(1)上,并且第二致动器表面(2b)呈现在第一可移动膜(3a)上。在该上下文中,所述第一可移动膜(3a)被布置在基板(1)的上侧面(1a)的上方。第二可移动膜(2b)被布置在基板(1)的与该上侧面(1a)相对的下侧面(1b)的下方。本发明进一步涉及由两个这种变容二极管制成的变容二极管系统。

    用于传输光学时钟信号的光电电路和方法

    公开(公告)号:CN104253597B

    公开(公告)日:2020-03-13

    申请号:CN201410301035.9

    申请日:2014-06-27

    Abstract: 一种用于将光学时钟信号发送至电子部件(74a、74b)的光电电路包含用于产生光学时钟信号的时钟产生设备、用于将光学时钟信号转换为供给至电子部件(74a、74b)的电学时钟信号的转换器元件(73a、73b)以及从时钟产生设备至转换器元件(73a、73b)的光路(72a、72b)。在本文中,光电电路(4a、4b)提供从时钟产生设备至转换器元件(73a、73b)的光学时钟信号的延迟时间。所述光电电路(4a、4b)相应地包括用于调节时钟产生设备和电子部件(74a、74b)之间的延迟时间的可调节光学元件(72a、72b)。

    具有基于MEMS技术的变抗器的锁相回路

    公开(公告)号:CN104836572B

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201510073759.7

    申请日:2015-02-11

    Abstract: 本发明涉及一种具有基于MEMS技术的变抗器的锁相回路(1),所述锁相回路(1)具有相位检测器(2)和控制振荡器(4)。所述控制振荡器(4)设置有变抗器(5)。所述变抗器(5)利用MEMS技术实现。根据本发明,所述锁相回路(1)的控制带宽(BPLL)大于所述变抗器(5)的机械共振频率(fmech)。

    用于传输光学时钟信号的光电电路和方法

    公开(公告)号:CN104253597A

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201410301035.9

    申请日:2014-06-27

    Abstract: 一种用于将光学时钟信号发送至电子部件(74a、74b)的光电电路包含用于产生光学时钟信号的时钟产生设备、用于将光学时钟信号转换为供给至电子部件(74a、74b)的电学时钟信号的转换器元件(73a、73b)以及从时钟产生设备至转换器元件(73a、73b)的光路(72a、72b)。在本文中,光电电路(4a、4b)提供从时钟产生设备至转换器元件(73a、73b)的光学时钟信号的延迟时间。所述光电电路(4a、4b)相应地包括用于调节时钟产生设备和电子部件(74a、74b)之间的延迟时间的可调节光学元件(72a、72b)。

    变容二极管及变容二极管系统

    公开(公告)号:CN104103425A

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201410145645.4

    申请日:2014-04-11

    CPC classification number: H01G5/16 B81B3/0078 B81B7/00 B81B2201/0221

    Abstract: 本发明涉及变容二极管及变容二极管系统。所述变容二极管具有致动器,其中所述致动器的第一致动器表面(2a)呈现在基板(1)上,并且第二致动器表面(2b)呈现在第一可移动膜(3a)上。在该上下文中,所述第一可移动膜(3a)被布置在基板(1)的上侧面(1a)的上方。第二可移动膜(2b)被布置在基板(1)的与该上侧面(1a)相对的下侧面(1b)的下方。本发明进一步涉及由两个这种变容二极管制成的变容二极管系统。

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