公开(公告)号：CN1777972A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480010693.7

申请日：2004-02-20

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： R·拉思梅尔 ,  B·范德伯格

IPC: H01J37/30 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/1472

Abstract: 披露了一种用于使离子束中的离子加速/减速的加速结构和相关方法。所述结构和相关方法适用于在半导体制造过程中将离子选择性地注入工件或晶片内以对所述晶片区域进行选择性掺杂。除了使离子加速和/或减速外，本发明的多个方面用以使离子束中的离子聚焦以及偏转。这通过引导所述离子束通过电极而得以实现，所述电极具有穿过其形成的电位。由于所述射束内的电中性污染物不受电位影响且继续大体上沿所述离子束的初始路径行进，因此离子束还得以净化。电极还被布置以便使所述射束不得不行进的距离最小化，由此减小射束放大的可能。

公开(公告)号：CN1777972B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200480010693.7

申请日：2004-02-20

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： R·拉思梅尔 ,  B·范德伯格

IPC: H01J37/30 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/1472

Abstract: 披露了一种用于使离子束中的离子加速/减速的加速结构和相关方法。所述结构和相关方法适用于在半导体制造过程中将离子选择性地注入工件或晶片内以对所述晶片区域进行选择性掺杂。除了使离子加速和/或减速外，本发明的多个方面用以使离子束中的离子聚焦以及偏转。这通过引导所述离子束通过电极而得以实现，所述电极具有穿过其形成的电位。由于所述射束内的电中性污染物不受电位影响且继续大体上沿所述离子束的初始路径行进，因此离子束还得以净化。电极还被布置以便使所述射束不得不行进的距离最小化，由此减小射束放大的可能。

公开(公告)号：CN1541401A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN02815643.9

申请日：2002-08-07

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： A·佩雷尔 ,  B·范德伯格

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/08

Abstract: 提供用于离子注入器的离子源，包括：(i)升华器(52)，它具有接收要升华的源材料(68)和升华所述源材料的腔室(66)；(ii)气体注入器(104)，其向腔室(66)注入气体；(iii)离子化室(58)，其用于离子化升华的源材料，所述离子化室远离所述升华器；供给管(62)，其用于将升华器(52)连接到离子化室(58)。向腔室注入的气体可以是氦或氢，用于改善在升华器(52)的壁(64)和源材料(68)之间的传热能力。