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公开(公告)号:CN114853051A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210311193.7
申请日:2022-03-28
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化亚铜@氧化铜‑石墨烯纳米复合材料及其制备与应用,涉及纳米复合材料技术领域。本发明所述的制备方法包括以下步骤,碱性条件下,将氧化石墨烯加入到氧化亚铜分散液中,得到混合液;所述氧化亚铜分散液的质量浓度为1‑5mg/mL;所述碱性条件的pH为9‑14;对混合液进行搅拌、反应得到所述Cu2O@CuO‑RGO纳米复合材料。本发明所述方法过程简单,安全可靠,获得的产物纯度高,且成本较低易于大规模制备;制备得到的Cu2O@CuO‑RGO多级纳米复合材料在检测二氧化氮气体应用中具有突出优势。
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公开(公告)号:CN111678954B
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202010507336.2
申请日:2020-06-05
Applicant: 苏州科技大学
IPC: G01N27/12 , G01N27/407 , G01N27/38
Abstract: 本发明涉及一种Si‑RGO复合材料及其在检测二氧化氮气体中的应用。将尺寸为2‑5nm的Si量子点通过硅源原位修饰在RGO纳米薄膜表面,与作为导电网络和敏感基材的RGO原位形成异质结构,通过电泳的方法在电极表面形成Si‑RGO气敏膜,形成检测二氧化氮气体的气体传感器。Si‑RGO气敏膜与电极接合牢固,导电性能优良,制备工艺简单,反应条件温和,在室温下对NO2具有很高的灵敏度和较低的检测极限,该传感器件体积小、功耗低、结构稳定,适用于大规模制备气敏传感元器件。
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公开(公告)号:CN113921762A
公开(公告)日:2022-01-11
申请号:CN202111070703.8
申请日:2021-09-13
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/054
Abstract: 本发明提供了一种纳米铋复合材料及其制备方法与应用。具体制备方法为:将生物质基碳水化合物与铋基活性物质前驱体搅拌混合均匀,静置自组装形成水凝胶,冷冻干燥得到气凝胶,将所得气凝胶进行煅烧得到所述纳米铋复合材料。所得纳米铋复合材料应用在镁电极负极材料制备中。
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公开(公告)号:CN113655312A
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202110910352.0
申请日:2021-08-09
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光电混合相变存储器测试系统及方法,包括:激光器模块,用于对样品提供诱导其相变材料相变的激光信号;电学测试模块,用于对样品提供测量信号并测试其相变材料相变所产生的电学性能变化;微控探针台,用于对样品引入并施加激光信号或测量信号;所述控制模块,用于根据测试指令控制激光器模块和电学测试模块在微控探针台上进行引入和切换。本发明可满足光电混合相变存储器的相变材料筛选和器件原理性验证等功能,操作简便,功能齐全。
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公开(公告)号:CN113249696A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110418028.7
申请日:2021-04-19
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明涉及一种实现正负性转换的NSb2Te光刻胶制备及其光刻方法,光刻胶制备方法以Sb2Te为靶材、以Ar为起辉气体、N2为掺杂气体,在基片上沉积得到NSb2Te光刻胶,控制Ar和N2的流量比,使NSb2Te光刻胶为正胶或负胶;光刻方法包括:S1:在基片上沉积一层NSb2Te光刻胶,控制NSb2Te光刻胶中氮元素的掺杂量,使NSb2Te光刻胶为正胶或者负胶;S2:利用激光直写光刻系统对所述NSb2Te光刻胶进行曝光;S3:利用反应离子刻蚀系统或酸/碱性显影剂对曝光后的所述NSb2Te光刻胶进行干法或湿法显影,得到具有微纳结构的光刻样品。本发明提供一种工艺简单、成本低廉、环境友好且能在同一显影剂中实现正负胶转换的光刻胶制备方法和光刻方法。
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公开(公告)号:CN111399343A
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN202010245207.0
申请日:2020-03-31
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于激光直写金属掺杂Sb2Te薄膜的自干涉曝光方法,该方法包括以下步骤:S1、在基片上沉积金属掺杂Sb2Te薄膜;S2、对所述薄膜进行曝光,基于激光诱导薄膜表面产生等离子体与激光间的干涉在薄膜表面产生晶化,得到亚波长尺寸的周期性表面结构。本发明利用金属掺杂Sb2Te薄膜在激光辐射下产生等离子体并与激光干涉形成周期性光场导致薄膜晶化从而产生周期性表面结构,无需超强超短激光脉冲即可得到等离子体,且能实现自干涉曝光得到亚波长尺寸的光栅结构,可用于亚波长尺寸的光电子器件制造。
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公开(公告)号:CN117019164B
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202310944957.0
申请日:2023-07-31
Applicant: 苏州科技大学
IPC: B01J23/847 , C02F1/30 , B01J23/648 , B01J23/20 , B01J27/24 , B01J35/30 , B01J35/50 , B01J35/39 , B01J37/08 , B01J37/04 , B01J37/18 , B01J37/34 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种单原子催化剂负载的SnNb2O6/g‑C3N5三维复合材料、制备方法及应用,SnNb2O6/g‑C3N5的制备方法包括以下步骤:将一定量的NaCl与3-氨基‑1,2,4-三唑溶于水中搅拌混合均匀并加热,然后再通过加热焙烧得到g‑C3N5纳米棒;(加入铌酸锡(SnNb2O6)纳米片,超声混合均匀后进行水热处理;(9)将水热处理后的产物真空干燥处理后置于H2和Ar2的混合气氛下,加热焙烧得到SnNb2O6/g‑C3N5纳米复合材料。本发明通过碳和氮之间的强相互作用将金属单原子负载到SnNb2O6/g‑C3N5纳米复合材料上形成X‑SnNb2O6/g‑C3N5,X为铂、钴、铁、钯、铜或银等。
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公开(公告)号:CN119481408A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411696308.4
申请日:2024-11-25
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明提供了一种废旧锂离子电池电极材料回收制备多异质结电催化剂的方法、多异质结电催化剂及其应用。提供一种从废旧锂离子电池电极中回收的电极材料;将回收所得电极材料进行球磨,再加入溶剂和含氮聚合物并搅拌,制得纺丝液;将所得纺丝液进行高压静电纺丝,得到纺丝薄膜;将纺丝薄膜置于加热容器中,在惰性氛围下,进行梯度升温处理,得到所述多异质结电催化剂。本发明所述的方法具有合成简单,操作方便,应用范围广等特点,且制备条件温和,方法简易,无需特殊的设备,成本比较低廉,为快速和高效的回收利用废旧电池铺平道路。
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公开(公告)号:CN117048221A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202310964551.9
申请日:2023-08-02
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于TeOx/Sb2S3复合薄膜的激光多阶彩色打印方法,涉及彩色打印技术领域。具体步骤为:在基片上沉积一层TeOx薄膜,控制Te Ox中的O元素掺杂量使其具有不同的光学常数,得到彩色TeOx薄膜样品;在TeOx薄膜样品上继续沉积一层Sb2S3薄膜,得到TeOx/Sb2S3复合薄膜样品;利用激光彩色打印设备对TeOx/Sb2S3复合薄膜进行图像打印,调节不同的激光功率刻写图形,得到多阶彩色图像样品。本发明提供的激光多阶彩色打印方法,操作简单,成本低,打印后的彩色稳定性好,不易褪色,既可以通过调节x值和厚度在单层TeOx薄膜上实现多阶彩色,也可复合透明Sb2S3相变薄膜进一步提高彩色对比度,实现高对比度的多阶彩色打印。该技术可应用于彩色装饰、激光防伪、非易失性超薄显示等领域。
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公开(公告)号:CN117019164A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202310944957.0
申请日:2023-07-31
Applicant: 苏州科技大学
IPC: B01J23/847 , C02F1/30 , B01J23/648 , B01J23/20 , B01J27/24 , B01J35/00 , B01J35/02 , B01J37/08 , B01J37/04 , B01J37/18 , B01J37/34 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种单原子催化剂负载的SnNb2O6/g‑C3N5三维复合材料、制备方法及应用,SnNb2O6/g‑C3N5的制备方法包括以下步骤:将一定量的NaCl与3-氨基‑1,2,4-三唑溶于水中搅拌混合均匀并加热,然后再通过加热焙烧得到g‑C3N5纳米棒;(加入铌酸锡(SnNb2O6)纳米片,超声混合均匀后进行水热处理;(9)将水热处理后的产物真空干燥处理后置于H2和Ar2的混合气氛下,加热焙烧得到SnNb2O6/g‑C3N5纳米复合材料。本发明通过碳和氮之间的强相互作用将金属单原子负载到SnNb2O6/g‑C3N5纳米复合材料上形成X‑SnNb2O6/g‑C3N5,X为铂、钴、铁、钯、铜或银等。
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