公开(公告)号：CN103632911B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201310368729.X

申请日：2013-08-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.格宾

IPC: H01J37/08 ,  C23C14/48

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/265

Abstract: 离子源器件和方法。离子源包括定义用于离子化的内部空腔的腔室，在内部空腔的第一端的电子束源，用于将可离子化的气体引入腔室的入口，以及用于从腔室中提取离子的弧形裂隙。所述腔室包括导电陶瓷。

公开(公告)号：CN103632911A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310368729.X

申请日：2013-08-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.格宾

IPC: H01J37/08 ,  C23C14/48

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/265

Abstract: 离子源器件和方法。离子源包括定义用于离子化的内部空腔的腔室，在内部空腔的第一端的电子束源，用于将可离子化的气体引入腔室的入口，以及用于从腔室中提取离子的弧形裂隙。所述腔室包括导电陶瓷。